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대칭성 있는 결정구조를 갖는 기판;
상기 기판상에 구비되고, 각각 절연막으로 이격되는 3개의 전류라인;
하나의 강자성체 층; 을 포함하고,
상기 강자성체 층은 Fe, Co, Ni, Cr, permalloy, heusler alloy 에서 선택되는 강한 다축이방성을 갖는 자성체, 또는 게르마늄망간(GeMn)을 포함하는 강한 다축 이방성을 갖는 강자성 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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청구항 1에 있어서,
상기 강자성체 층은 자화 방향에 따라 각기 다른 평면 홀 저항 혹은 터넬링 비등방 자기저항 값을 측정하여 논리값을 센싱하는 다축이방성이 강한 강자성체 층인 것을 특징으로 하는 다축 자화물질을 이용한 자기논리소자
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청구항 2에 있어서, 상기 자기논리소자는,
상기 기판상에 형성되는 상기 강자성체 층과,
상기 강자성체 층 상에 절연막으로 이격되는 제 1전류라인(Negation), 제 2전류라인(입력 A), 제 3전류라인(입력 B)이 순차적으로 적층 배치되는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질을 이용한 자기논리소자
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청구항 2에 있어서, 상기 자기논리소자는,
상기 기판상에 형성되는 제1 전류라인과,
상기 제1 전류라인 상에 절연막으로 이격되는 상기 강자성체 층, 제2 전류라인(입력 A), 제3 전류라인(입력 B)이 순차로 적층 배치되는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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청구항 2에 있어서, 상기 자기논리소자는,
상기 기판상에 형성되는 제1 전류라인과,
상기 제1 전류라인 상에 절연막으로 이격되는 제2 전류라인, 제3 전류라인, 상기 강자성체 층이 순차 적층 배치되는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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청구항 2에 있어서, 상기 자기논리소자는,
상기 기판상에 형성되는 제1 전류라인과,
상기 제1 전류라인상에 절연막으로 이격되는 제2 전류라인, 제3 전류라인이 순차적으로 형성되며, 상기 제3 전류라인 상에 절연막으로 이격되는 상기 강자성체 층이 배치되는 것을 특징으로 하는 다축 자화 물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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7
청구항 3 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 자기논리소자는,
상기 강자성체 층 자체에서 평면 홀저항을 측정하거나,
상기 강자성체 층과 하나의 절연막을 사이에 두고 이웃한 전류라인 사이의 터넬링 비등방 자기저항 값을 측정하여 논리값을 센싱하는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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청구항 3 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 강자성체 층은,
논리소자로 동작 시 상기 제2 전류라인(입력 A)과 상기 제3 전류라인(입력 B)이 셀 안에 펄스 형태로 전류를 인가하여 유도 자기장을 형성하고,
상기 자기장의 방향(Ø)과 세기에 의해 양축자기 이방성을 갖는 강자성 재료의 자화 방향이 전환되며,
상기 전환되는 자화 방향(자화상태)에 따라 달라지는 평면 홀 저항 값 또는 터넬링 비등방 자기저항 값을 측정하여 논리값을 결정하는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기논리소자는,
출력 동작 시 상기 강자성체 층 혹은 상기 강자성체 층과 하나의 절연막을 사이에 두고 이웃한 전류라인에 센싱 전류를 흘려보내서 저장된 홀 저항 또는 터넬링 비등방 자기저항 값을 읽는 것을 특징으로 하는 다축 자화물질 단일층을 이용한 자기논리소자
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