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나노구조로 패터닝된 접합면을 가지는 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유무기 이종접합 태양전지

  • 기술번호 : KST2015131913
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조로 패터닝된 접합면을 가지는 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유무기 이종접합 태양전지가 개시된다. 투명 기판 위에 투명 제1 전극을 형성하는 단계; 나노 임프린트법으로 형성된 고분자 나노 패턴 마스크를 이용하여 상기 제1 전극 위에 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 n-타입 무기 반도체층 위에 p-타입 유기 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 p-타입 유기 고분자층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법에 의하면, 유무기 접합면에 용이하고 저렴하게 나노 패턴을 도입할 수 있어, 접합면의 면적을 증가시키고, 캐리어와 전극 사이의 이동거리를 줄여 태양전지의 효율을 높이는 것이 가능하다. 태양전지, 나노패턴
Int. CL H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 51/4266(2013.01) H01L 51/4266(2013.01)
출원번호/일자 1020090048733 (2009.06.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1054508-0000 (2011.07.29)
공개번호/일자 10-2010-0130071 (2010.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 한강수 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0333929-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0075564-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0090653-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0281760-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0281747-16
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0420662-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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투명 기판 위에 투명 제1 전극을 형성하는 단계; 나노 임프린트법으로 형성된 고분자 나노 패턴 마스크를 이용하여 상기 제1 전극 위에 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 n-타입 무기 반도체층 위에 p-타입 유기 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 p-타입 유기 고분자층 위에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하며, 여기서, 상기 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 나노 임프린트법으로 고분자 나노 패턴 마스크를 형성하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이의 잔여 고분자 층을 제거하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이에 n-타입 무기 반도체 층을 증착하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크를 제거하는 단계; 및 상기 n-타입 무기 반도체층이 증착된 면 쪽에 n-타입 반도체 층을 추가로 증착하여 노출된 제1 전극 표면을 덮는 단계 를 포함하는 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법
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삭제
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투명 기판 위에 투명 제1 전극을 형성하는 단계; 나노 임프린트법으로 형성된 고분자 나노 패턴 마스크를 이용하여 상기 제1 전극 위에 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 n-타입 무기 반도체층 위에 p-타입 유기 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 p-타입 유기 고분자층 위에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하며, 여기서, 상기 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 n-타입 무기 반도체 층을 증착하는 단계; 상기 n-타입 무기 반도체층 위에 나노 임프린트법으로 고분자 나노 패턴 마스크를 형성하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이의 잔여 고분자 층을 제거하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이에 n-타입 무기 반도체 층을 증착하는 단계; 및 상기 고분자 나노 패턴 마스크를 제거하는 단계 를 포함하는 것인 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법
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투명 기판 위에 투명 제1 전극을 형성하는 단계; 나노 임프린트법으로 형성된 고분자 나노 패턴 마스크를 이용하여 상기 제1 전극 위에 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 n-타입 무기 반도체층 위에 p-타입 유기 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 p-타입 유기 고분자층 위에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하며, 여기서, 상기 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 n-타입 무기 반도체층을 증착하는 단계; 상기 n-타입 무기 반도체층 위에 나노 임프린트법으로 고분자 나노 패턴 마스크를 형성하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이의 잔여 고분자 층을 제거하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이에 노출되는 n-타입 무기 반도체층을 식각하는 단계; 및 상기 고분자 나노 패턴 마스크를 제거하는 단계 를 포함하는 것인 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법
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투명 기판 위에 투명 제1 전극을 형성하는 단계; 나노 임프린트법으로 형성된 고분자 나노 패턴 마스크를 이용하여 상기 제1 전극 위에 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 n-타입 무기 반도체층 위에 p-타입 유기 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 p-타입 유기 고분자층 위에 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하며, 여기서, 상기 나노 구조로 패터닝된 n-타입 무기 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 위에 나노 임프린트법으로 고분자 나노 패턴 마스크를 형성하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크 사이의 잔여 고분자 층을 제거하는 단계; 상기 고분자 패턴 마스크 위로 금속을 증착하는 단계; 상기 고분자 나노 패턴 마스크를 제거하여 금속 마스크를 형성하는 단계; 상기 금속 마스크 사이에 노출되는 상기 제1 전극 층을 식각하는 단계; 상기 금속 마스크를 제거하는 단계; 및 상기 제1 전극 층 위에 n-타입 무기 반도체층을 증착하는 단계 를 포함하는 것인 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법
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제1항 및 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 기판은 PET(Polyethyleneterephthlate), PES(Polyethersulphone), PC(Polycarbonate), PI(Polyimide) 및 PEN(Polyethylene Naphthalate), PAR(Polyarylate)으로 이루어진 군에서 선택되는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 유무기 이종접합 태양전지의 제조 방법
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제1항 및 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 유무기 이종접합 태양전지
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 에너지관리공단 고려대학교 공학기술연구소 신재생에너지기술개발사업 유연 폴리머 기판을 사용한 유-무기 복합 태양전지의 제작