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투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015131942
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 투명 기판 표면이나 기판/투명 전극 계면에 나노 패턴을 형성하여 표면이나 계면에서 빛을 난반사시켜 내부 전반사 현상에 의한 발광효율을 증가시키는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노 패턴 형성 방법에 따르면, 기판과 투명전극층 사이에 나노급의 패턴이 효과적으로 형성되도록 함으로써, 소자 내의 층간 반사도를 낮춰 내부 전반사 현상에 의한 발광효율저하를 방지하는 등 소자의 효율성을 높일 수 있으며, 이 때 발생할 수 있는 표면 거칠기를 최소화할 수 있고, 투명전극의 전도도 감소도 최소화할 수 있다. 투명기판, 투명전극, 나노패턴
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) B82B 3/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020090082185 (2009.09.01)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1182383-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자 10-2011-0024271 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.01)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 한강수 대한민국 서울특별시 도봉구
3 양기연 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0539075-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0541448-43
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0598613-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023210-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0270206-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0554918-53
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0554926-18
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0067399-47
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0249831-48
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0249850-16
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0518344-04
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 나노사이즈의 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 기판 위에 졸(sol) 상의 투명전극 물질을 포함하는 용액을 도포하여 표면을 평탄화시키는 단계; 및 상기 도포된 투명전극 물질 용액을 겔(gel)화시켜 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 겔화된 투명전극층 위에 투명전극층을 추가적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 투명기판 위에 나노패턴을 형성하는 단계는 투명기판 위에 SiO2를 증착하는 단계;상기 SiO2 증착면 위에 미세패턴을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 미세패턴을 선택적으로 식각하는 단계를 거치는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
4 4
제3항에 있어서,상기 미세패턴의 형성은 임프린트 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노스피어(nano-sphere) 리소그래피 및 E-빔(E-beam) 리소그래피로 이루어진 군으로부터 선택되는 리소그래피법에 의한 것임을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 투명전극 물질 겔(gel)화 후, 열경화 또는 자외선 경화를 추가적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 투명전극층의 겔화단계는 졸 상의 투명전극층을 웨이퍼로 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 투명전극층의 겔화단계는 졸(sol) 상의 투명전극 물질 용액에 사용된 용매의 끓는점 이상의 온도로 열처리를 하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 투명기판은 석영(quartz), 유리, 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 및 폴리이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 투명전극 물질은 ITO(Indium-Tin-Oxide), AZO(Al-doped ZnO), ZnO(zinc oxide), IZO(Indium zinc oxide), FTO(F-doped SnO2), GZO(Ga-doped ZnO), ZTO(zinc tin oxide), GIO(gallium indium oxide), MZO(Magnesium-Zinc-Oxide), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 투명전극 물질 용액은 투명전극 물질이 졸 상으로 용해된 용액, 투명 전극 물질의 나노입자가 분산된 용액 및 투명전극물질의 나노입자가 졸 상의 용액에 분산된 용액으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서, 상기 졸(sol) 상의 투명전극 물질을 포함하는 용액은 0
13 13
투명 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 나노사이즈의 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 기판 위에 임프린트 수지를 도포하여 표면을 평탄화시키는 단계; 및상기 평탄화된 임프린트 수지를 경화시키는 단계를 포함하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
14 14
제13항에 있어서,상기 경화된 임프린트 수지층 위에 투명전극층을 추가적으로 도포하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
15 15
제13항에 있어서,상기 투명기판 위에 나노패턴을 형성하는 단계는 투명기판 위에 SiO2를 증착하는 단계; 상기 SiO2 증착면 위에 미세패턴을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 미세패턴을 선택적으로 식각하는 단계를 거치는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
16 16
제15항에 있어서,상기 미세패턴의 형성은 임프린트 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노스피어(nano-sphere) 리소그래피 및 E-빔(E-beam) 리소그래피로 이루어진 군으로부터 선택되는 리소그래피법에 의한 것임을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 투명기판은 석영(quartz), 유리, 사파이어, 리튬 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 및 폴리이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 임프린트 수지는 ITO, AZO, ZnO, TiO2, WO3(tungsten trioxide), Si, SiO2, SiNx 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로부터 얻어진 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 임프린트 수지는 PDMS(polydimethylsiloxane), PMMA(Poly methyl methacrylate), PVC(poly vinyl chloride), PC(poly carbonate), PVA(poly vinyl acrylate) 및 PTFE(polytetrafluoroethylene)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
20 20
제14항에 있어서, 상기 경화된 임프린트 수지 상에 도포되는 투명전극층은 ITO(Indium-Tin-Oxide), AZO(Al-doped ZnO), ZnO(zinc oxide), IZO(Indium zinc oxide), FTO(F-doped SnO2), GZO(Ga-doped ZnO), ZTO(zinc tin oxide), GIO(gallium indium oxide), MZO(Magnesium-Zinc-Oxide), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
21 21
제13항에 있어서, 상기 임프린트 수지의 경화단계는 열경화 또는 자외선 경화 처리하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
22 22
제13항에 있어서, 상기 임프린트 수지의 경화단계는 평탄화된 임프린트 수지를 웨이퍼로 가압하며 경화하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판의 나노 패턴 형성방법
23 23
제1항 내지 제10항 및 제12항 내지 제22항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 나노 패턴이 형성된 투명 전도성 기판을 포함하는 전자 소자
24 24
제1항 내지 제10항 및 제12항 내지 제22항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 나노 패턴이 형성된 투명 전도성 기판을 포함하는 태양 전지
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 고려대학교 산학협력단 산학연공동기술개발사업 고발전효율 양면수광형 솔라셀 집광시스템 제작