맞춤기술찾기

이전대상기술

반사 방지막을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132013
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광소자의 광추출효율(extraction efficiency) 개선을 위해 반사 방지막(anti-reflection layer)을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자 제조방법은 기판 상에 반도체로 구성되어 광을 발생시키는 광 발생부를 형성하고, 광 발생부 상에 고분자층을 형성하고, 고분자층 상에 복수의 비드를 도포하고, 고분자층을 유리 전이온도(glass transition temperature) 이상으로 가열하여 비드의 일부분을 상기 고분자층에 침전시킨 후, 비드를 제거하여 반구형의 홈부가 형성되어 있는 반사 방지막(anti-reflection layer)을 형성한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020100002308 (2010.01.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1122678-0000 (2012.02.24)
공개번호/일자 10-2011-0082357 (2011.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.11)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울특별시 강남구
2 방준하 대한민국 서울특별시 동작구
3 김성현 대한민국 서울특별시 강남구
4 김병재 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0016475-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2011.03.03 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0155492-02
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0019200-24
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0163852-78
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0019707-60
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0269042-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0540352-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0540356-21
10 등록결정서
Decision to grant
2012.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0077788-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
기판 상에 반도체로 구성되어 광을 발생시키는 광 발생부를 형성하는 단계;상기 광 발생부 상에 고분자층을 형성하는 단계;상기 고분자층 상에 복수의 비드를 도포하는 단계;상기 고분자층을 유리 전이온도(glass transition temperature) 이상으로 가열하여, 상기 비드의 일부분을 상기 고분자층에 침전시키는 단계; 및상기 비드를 제거하여, 반구형의 홈부가 형성되어 있는 반사 방지막(anti-reflection layer)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 고분자층의 두께는 상기 광 발생부에서 발생되는 광의 파장의 2/5 내지 3/5으로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 비드의 일부분을 상기 고분자층에 침전시키는 단계는,상기 고분자층의 가열 온도 및 가열 시간 중 적어도 하나를 조절하여, 상기 홈부의 깊이가 상기 고분자층의 두께의 절반 정도가 되도록, 상기 비드를 상기 고분자층에 침전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
8 8
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자층은 PS(polystyrene) 및 BCB(bis-benzo cyclobutene) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
9 9
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자층을 형성하는 단계와 상기 고분자층 상에 복수의 비드를 도포하는 단계 사이에, 상기 고분자층 표면에 자외선을 조사하거나 상기 고분자층 표면을 O2 플라즈마 처리하여, 상기 고분자층 표면을 친수성으로 개질하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 고려대학교산학협력단 21C뉴프론티어연구개발사업 유무기 나노발광소재를 이용한 백색광용 고효율 에너지 절약소재 개발