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광대역 반사 방지막

  • 기술번호 : KST2015132043
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 두 개의 매질 사이에 배치되어 하나의 매질에서 다른 매질로 빛이 진행할 때, 넓은 파장 영역대의 빛이 투과되는 비율을 증가시킬 수 있는 반사 방지막(anti-reflection layer)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반사 방지막은 굴절률이 n1인 제1 매질과 굴절률이 n2(n1≠n2)인 제2 매질 사이에 배치되어, 제1 매질에서 상기 제2 매질로 빛이 진행할 때, 제1 매질에서 상기 제2 매질 방향으로 x만큼 떨어진 지점에서의 굴절률(n(x))이 수학식 1로 설정된다. [수학식 1] 이때, 수학식 1의 a 및 b는 제1 매질의 굴절률(n1), 제2 매질의 굴절률(n2) 및 반사 방지막의 두께 중 적어도 하나의 함수이다.
Int. CL G02B 1/11 (2006.01)
CPC G02B 1/11(2013.01) G02B 1/11(2013.01)
출원번호/일자 1020100006968 (2010.01.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1048308-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규환 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0053302-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 등록결정서
Decision to grant
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0354407-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
굴절률이 n1인 제1 매질과 굴절률이 n2(n1≠n2)인 제2 매질 사이에 배치되어, 상기 제1 매질에서 상기 제2 매질로 빛이 진행할 때, 빛이 투과되는 비율을 증가시키기 위한 반사 방지막(anti-reflection layer)으로,상기 제1 매질에서 상기 제2 매질 방향으로 x만큼 떨어진 지점에서의 굴절률(n(x))이 하기 수학식 1로 설정되는 것을 특징으로 하는 반사 방지막
2 2
제1항에 있어서,상기 a는 하기 수학식 2로 설정되고, 상기 b는 하기 수학식 3으로 설정되는 것을 특징으로 하는 반사 방지막
3 3
제1항 또는 제2항에 기재된 반사 방지막을 구비한 반도체 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 기재된 반사 방지막을 구비한 광학 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 고려대학교산학협혁단 중견연구자지원_도약연구 메타 안테나 기술