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자기 부상력을 이용한 극저온 물질 저장 용기

  • 기술번호 : KST2015132045
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극저온 물질 저장 용기에 관한 것으로서 극저온 물질을 저장하고, 초전도체가 부착되어 있는 내부 용기와 내부 용기를 포함하고, 초전도체에 대응하는 자성체가 부착된 중간 용기를 포함하는 것을 특징으로 하며, 전도에 의한 열 침입을 배제시킴으로써, 저장 용기로 침투하는 전체 열 침입에 의한 손실을 최소화하고, 단열 성능이 우수한 극저온 물질 저장 용기를 제공할 수 있다.
Int. CL F17C 1/12 (2006.01) F17C 3/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100015339 (2010.02.19)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1187191-0000 (2012.09.25)
공개번호/일자 10-2011-0095720 (2011.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20121005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해근 대한민국 서울특별시 동대문구
2 송정빈 대한민국 서울특별시 강남구
3 김광록 대한민국 경기도 부천시 소사구
4 김경준 대한민국 서울특별시 종로구
5 이종훈 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)두진 경기도 화성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0111292-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0575584-80
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0964074-84
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0008913-53
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0091960-13
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0179663-09
8 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0023283-87
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0275319-37
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0275320-84
11 등록결정서
Decision to grant
2012.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0527431-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
극저온 물질을 저장하고, 초전도체가 부착되어 있는 내부 용기;상기 내부 용기를 포함하고, 상기 초전도체에 대응하는 자성체가 부착된 중간 용기; 및상기 중간 용기 내벽에 설치되어, 상기 초전도체가 상전도 상태일 경우 상기 내부 용기를 지지하는 받침부를 포함하고,상기 극저온 물질이 상기 내부 용기에 주입되어, 상기 초전도체가 초전도 상태로 변화되면 상기 초전도체와 상기 자성체 간의 반발력에 의해 상기 내부 용기가 상기 받침부로부터 이격되고,상기 초전도체는 상기 내부 용기에 저장된 극저온 물질에 의해 초전도 상태가 되며,상기 초전도체는 상기 내부 용기의 외부면에 부착되고, 상기 자성체는 상기 중간 용기의 내부면에 부착되며, 상기 초전도체와 상기 자성체는 서로 대응하는 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 초전도체는 고온 초전도체(high temperature superconductor, HTS)인 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
3 3
제 1 항에 있어서,상기 자성체는 영구자석 또는 전자석인 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 내부 용기와 상기 중간 용기 사이는 진공인 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 중간 용기의 외벽에 상기 자성체에 대응하는 강자성체가 설치된 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
9 9
제 1 항에 있어서,상기 초전도체의 측방향의 길이는 상기 자성체의 측방향 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
10 10
제 1 항에 있어서,상기 내부 용기와 상기 중간 용기를 포함하는 외부 용기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
11 11
제 1 항에 있어서,상기 극저온 물질은 액체헬륨, 고체헬륨, 액체수소, 고체수소, 액체네온, 고체네온, 액체산소, 고체산소, 액체질소, 고체질소, 액체아르곤, 고체아르곤, 액화천연가스(liquefied natural gas, LNG) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 극저온 물질 저장 용기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.