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기판 상에 형성되는 제1 질화물 반도체층;상기 제1 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 다중양자우물구조로 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되는 제2 질화물 반도체층;상기 제2 질화물 반도체층 상에 형성되는 오믹접촉층;상기 오믹접촉층 상에, 광이 방출되는 발광면의 제1 꼭지점과 대응하여 형성되는 제1 전극패드;상기 제1 영역을 제외한 상기 제1 질화물 반도체층의 제2 영역 상에, 상기 제1 꼭지점에 대각선 방향으로 대향하는 상기 발광면의 제2 꼭지점과 대응하여 형성되는 제2 전극패드; 상기 오믹접촉층 상에, 135도 이상의 각도로 절곡되는 적어도 하나의 절곡부를 각각 포함하는 형태로, 상기 제1 전극패드로부터 상기 발광면 측으로 연장되어 형성되는 복수의 제1 전극; 및상기 제1 질화물 반도체층의 제2 영역 상에, 135도 이상의 각도로 절곡되는 적어도 하나의 절곡부를 각각 포함하는 형태로, 상기 발광면 상에서 상기 복수의 제1 전극과 교번하도록, 상기 제2 전극패드로부터 상기 발광면 측으로 연장되어 형성되는 복수의 제2 전극을 포함하고,상기 복수의 제 1 전극은 중간 제1 전극을 포함하고,상기 중간 제1 전극은, 상기 제1 전극패드에서 상기 제2 전극패드를 향하는 대각선 방향으로 연장되는 제4 연결가지와, 상기 제4 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 하단모서리를 향해 상기 발광면의 좌우측모서리와 평행한 방향으로 연장되는 제5 연결가지와, 상기 제5 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 하단모서리를 향해 대각선 방향으로 연장되는 제6 연결가지를 포함하고,상기 복수의 제2 전극은 중간 제2 전극을 포함하고,상기 중간 제2 전극은, 상기 제2 전극패드에서 상기 제1 전극패드를 향하는 대각선 방향으로 연장되는 제12 연결가지와, 상기 제12 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 상단모서리를 향해 상기 발광면의 좌우측모서리와 평행한 방향으로 연장되는 제13 연결가지와, 상기 제13 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 상단모서리를 향해 대각선 방향으로 연장되는 제14 연결가지를 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 소정의 이격거리로 유지되는 질화물 반도체 발광소자
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3
제2항에 있어서,상기 복수의 제1 전극과 복수의 상기 제2 전극은 점대칭하는 질화물 반도체 발광소자
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제3항에 있어서,상기 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각은, 상기 발광면의 제1 모서리에 평행한 연결가지 및 상기 발광면의 제1 대각선에 평행한 연결가지를 포함하는 형태로 이루어지는 질화물 반도체 발광소자
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5
제2항에 있어서,상기 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각은 직선으로 이루어지는 질화물 반도체 발광소자
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6
제2항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층의 제2 영역은, 상기 오믹접촉층, 상기 제2 질화물 반도체층, 상기 활성층의 적어도 일부를 식각하여 노출되는 영역인 질화물 반도체 발광소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 복수의 제 1 전극은, 좌측 제1 전극을 더 포함하고, 상기 좌측 제1 전극은, 상기 제1 전극패드에서 상기 발광면의 상단모서리를 따라 연장되는 제1 연결가지와, 상기 제1 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 좌측모서리를 향해 대각선 방향으로 연장되는 제2 연결가지와, 상기 제2 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 하단모서리를 향해 상기 발광면의 좌우측모서리와 평행한 방향으로 연장되는 제3 연결가지를 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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8
제 7 항에 있어서,상기 복수의 제2 전극은 우측 제2 전극을 더 포함하고,상기 우측 제2 전극은, 상기 제2 전극패드에서 상기 발광면의 하단모서리를 따라 연장되는 제9 연결가지와, 상기 제9 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 우측모서리를 향해 대각선 방향으로 연장되는 제10 연결가지와, 상기 제10 연결가지에서 절곡되어 상기 발광면의 상단모서리를 향해 상기 발광면의 좌우측모서리와 평행한 방향으로 연장되는 제11 연결가지를 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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