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일면에 제1 요철 패턴을 가진 스탬프의 상기 일면 상에 전사층을 도포하는 단계;상기 전사층이 직접 접촉되도록 상기 스탬프를 기판에 배치시키는 단계;상기 전사층이 상기 기판에 부착된 상태에서 상기 스탬프를 상기 전사층으로부터 분리시키는 단계; 및상기 전사층 상부에 하지층, 제1 타입 화합물 반도체층, 활성층 및 상기 제1 타입에 반대의 극성을 가지는 제2 타입 화합물 반도체층을 적층하는 단계;를 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 타입 화합물 반도체층 상에 제2 타입 전극을 형성하는 단계;상기 전사층 및 상기 기판을 상기 하지층으로부터 분리하는 단계;상기 하지층에 형성된 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각함으로써 상기 제1 타입 화합물 반도체층 상에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 타입 화합물 반도체층 상에 제1 타입 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전사층은 SOG(spin on glass)를 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 SOG는 HSQ(hydrogen silsesquioxane)를 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 스탬프를 상기 전사층으로부터 분리시키는 단계 이전에 진공 챔버 내에서 상기 스탬프에 압력을 가하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 압력은 1 내지 10 기압 범위인, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 스탬프를 상기 전사층으로부터 분리시키는 단계 이후에 상기 전사층을 어닐링 하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 어닐링 하는 단계 전에 UV-오존 또는 산소 플라즈마를 이용하여 상기 전사층의 표면처리를 수행하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제7항에 있어,상기 어닐링 하는 단계 후에 상기 전사층의 잔존 부분을 식각하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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10
제2항에 있어서,상기 전사층 및 상기 기판을 상기 하지층으로부터 분리하는 단계는 레이저 리프트-오프 또는 화학적 리프트-오프 공정을 이용하여 수행하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스탬프의 제조방법은,템플레이트 판의 일면에 사진식각공정을 이용하여 요철 형태의 마스터 패턴을 형성하는 단계;상기 마스터 패턴 상으로 액상의 스탬프 구성 물질을 부어 몰딩한 후 응고시키는 단계; 및상기 응고된 스탬프 구성물질을 상기 마스터 패턴으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 마스터 패턴은 가로 세로비가 1:1 내지 1:3 범위에 있고, 피치가 수 서브마이크론 내지 수 마이크론 범위의 테이퍼진 요철로서 이루어진 패턴을 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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13
제2항에 있어서,상기 제2 타입 전극 상에 방열층 및 지지층을 적층하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스탬프를 기판에 배치시키는 단계 전에 UV-오존처리, 피라나 처리 및 산소 플라즈마 처리 중 어느 하나 이상으로 상기 기판의 표면 처리를 수행하는, 발광 다이오드 소자의 제조방법
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15
기판;상기 기판의 일면 상에 형성된 광산란 패턴; 및상기 광산란 패턴 상에 순차 적층된 하지층, 제1 타입 화합물 반도체층, 활성층 및 상기 제1 타입과 반대되는 극성의 제2 타입 화합물 반도체층을 포함하고,상기 광산란 패턴은 일면에 요철 패턴을 가지는 SOG층을 포함하는, 발광 다이오드 소자
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제1항 또는 제2항 중 어느 하나의 방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
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