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유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치

  • 기술번호 : KST2015132109
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 열처리 방법은, 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자에 유도가열 에너지를 가하여 상기 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 가열시킴으로써 접촉 저항을 감소시키는 것이다. 본 발명에 따른 열처리 장치는, 유도가열에 의하여 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자를 열처리하는 공정부를 포함하는 열처리 장치로서, 상기 공정부는, 상기 반도체 소자를 지지하는 지지부, 고주파 전원, 및 상기 반도체 소자의 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 유도가열시킬 수 있도록 상기 고주파 전원에 연결된 코일을 포함한다. 본 발명에 따르면, 문턱전압 변화 등의 채널 영역의 특성 변화없이 반도체 - 금속 접점의 접촉 특성만 개선할 수 있고, 종래에 사용되던 진공 챔버 가열 방식에 비해 시간과 비용을 줄일 수 있으며 진공 시스템이 필요 없으므로 장치의 유지, 보수가 간단하다.
Int. CL H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/67103(2013.01) H01L 21/67103(2013.01) H01L 21/67103(2013.01)
출원번호/일자 1020100055364 (2010.06.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1188171-0000 (2012.09.27)
공개번호/일자 10-2010-0133315 (2010.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20121005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090051986   |   2009.06.11
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김규태 대한민국 경기도 광명시 가림로 ***-*
2 하정숙 대한민국 서울특별시 노원구
3 이성민 대한민국 서울특별시 영등포구
4 이재우 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0376219-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0035485-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0423324-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0762274-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0762211-61
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0137737-52
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0367337-39
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0367319-17
11 등록결정서
Decision to grant
2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0562431-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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유도가열에 의하여 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자를 열처리하는 공정부를 포함하는 열처리 장치로서, 상기 공정부는, 상기 반도체 소자를 지지하는 지지부;상기 지지부 외부에 마련된 고주파 전원; 및상기 반도체 소자의 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 유도가열시킬 수 있도록 상기 고주파 전원에 연결된 코일을 포함하며, 상기 반도체 소자의 막 평면에 평행한 방향으로 유도 전류가 인가되도록 하고,상기 지지부는 튜브이고 상기 튜브 안에 상기 반도체 소자를 지지하며 상기 튜브 벽체에 상기 코일이 매설된 것을 특징으로 하는 열처리 장치
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제6항에 있어서, 상기 지지부는 비금속 재질인 것을 특징으로 하는 열처리 장치
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9 9
유도가열에 의하여 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자를 열처리하는 공정부를 포함하는 열처리 장치로서, 상기 공정부는, 상기 반도체 소자를 지지하는 지지부;상기 지지부 외부에 마련된 고주파 전원; 및상기 반도체 소자의 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 유도가열시킬 수 있도록 상기 고주파 전원에 연결된 코일을 포함하며, 상기 반도체 소자의 막 평면에 평행한 방향으로 유도 전류가 인가되도록 하고,상기 지지부는 양측이 개방된 챔버이고 상기 챔버 안에 상기 반도체 소자를 지지하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치
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제6항 또는 제9항에 있어서, 상기 반도체 소자가 상기 지지부 안에서 연속적으로 진행되면서 열처리되도록 하는 이송 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치
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제6항 또는 제9항에 있어서, 상기 고주파 전원의 공급전류 주파수는 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한국과학재단 특정연구개발사업 나노선소자 안정화 핵심기술