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수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 ｎ형 질화물계 반도체 소자에 있어서,상기 반도체 소자는 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층 상에 Ga 이온 임플란테이션법을 수행하여 형성된 Ｇａ 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면(nitrogen polar surface)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온 농도는 1016 내지 1021 ions/cm3 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온빔의 에너지 크기는 10 내지 60eV 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온빔의 경사각은 2 내지 45 °인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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전극구조체;Ga 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층;질화물계 활성층;금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층; 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체; 및지지기판이 적층된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온 농도는 1016 내지 1021 ions/cm3 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온빔의 에너지 크기는 10 내지 60eV 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온빔의 경사각은 2 내지 45 °인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층 및 금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층은 각각 n-GaN 및 p-GaN 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 질화물계 활성층은 단일 양자우물(Quantum Well) 구조 또는 다중 양자우물 구조인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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성장기판에 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 및 금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층을 성장시키는 단계;상기 p형 질화물계 클래드층 상면에 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체를 형성시키는 단계;지지기판을 상기 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체 상면에 형성시키는 단계;상기 성장기판을 분리 제거시키는 단계;상기 질소극성 표면의 n형 질화물계 클래드층의 상면에 Ga 이온 임플란테이션 하는 단계; 및상기 Ga 이온 임플란테이션된 n형 질화물계 클래드층의 상면에 전극구조체를 형성시키는 단계;를 포함하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 성장기판의 분리 제거는 레이저를 성장기판에 조사하여 행하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온 농도는 1016 내지 1021 ions/cm3 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온빔의 에너지 크기는 10 내지 60eV 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 Ga 이온 임플란테이션에 사용되는 Ga 이온빔의 경사각은 2 내지 45 °인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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