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1) 황색 발광 형광체, 및2) 600 ~ 650nm에서 발광하는 나노 입자를 코어로 하고, 실리카(SiO2), PS(polystyrene), PMMA(polymethylmethacrylate) 및 PC(polycarbonate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 쉘로 하는 코어-쉘 구조의 반도체 발광 나노 입자를 포함하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 1) 황색 발광 형광체는 YAG계(Y3Al5O12 : Ce), TAG계(Tb3Al5O12 : Ce), 실리케이트계, 황화물계, 질화물계, 산질화물계, 폴리[2,5-비스(3,7-디메틸옥틸옥시)-1,4-페닐렌-비닐렌](poly[2,5-bis(3,7-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylene-vinylene]), 폴리[9,9-디-(2-에틸헥실)-플루오레닐-2,7-디일](poly[9,9-di-(2-ethylhexyl)-fluorenyl-2,7-diyl]) 및 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌](poly[2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 1) 황색 발광 형광체는 초음파 분무 열분해 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 1) 황색 발광 형광체는 실리카(SiO2), PS(polystyrene), PMMA(polymethylmethacrylate) 및 PC(polycarbonate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 쉘을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 2) 코어-쉘 구조의 반도체 발광 나노 입자의 코어와 쉘 사이에 ZnSe를 포함하는 쉘을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 2)의 600 ~ 650nm에서 발광하는 나노 입자는 CdSe, InP, InGaP 및 CuInS2로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 2) 코어-쉘 구조의 반도체 발광 나노 입자의 함량은 1) 황색 발광 형광체의 총중량을 기준으로 0
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제1항에 있어서,상기 백색 발광 다이오드의 연색지수 값은 65 ~ 95인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드
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a) 황색 발광 형광체, 및 600 ~ 650nm에서 발광하는 나노 입자를 코어로 하고, 실리카(SiO2), PS(polystyrene), PMMA(polymethylmethacrylate) 및 PC(polycarbonate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 쉘로 하는 코어-쉘 구조의 반도체 발광 나노 입자를 포함하는 코팅 조성물을 제조하는 단계, 및b) 상기 코팅 조성물을 청색 발광 다이오드 표면 상에 코팅하는 단계를 포함하는 백색 발광 다이오드의 제조방법
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a) 청색 발광 다이오드 표면 상에 황색 발광 형광체를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계, 및b) 600 ~ 650nm에서 발광하는 나노 입자를 코어로 하고, 실리카(SiO2), PS(polystyrene), PMMA(polymethylmethacrylate) 및 PC(polycarbonate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 쉘로 하는 코어-쉘 구조의 반도체 발광 나노 입자를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계를 포함하는 백색 발광 다이오드의 제조방법
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a) 청색 발광 다이오드 표면 상에, 600 ~ 650nm에서 발광하는 나노 입자를 코어로 하고, 실리카(SiO2), PS(polystyrene), PMMA(polymethylmethacrylate) 및 PC(polycarbonate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 쉘로 하는 코어-쉘 구조의 반도체 발광 나노 입자를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계, 및b) 황색 발광 형광체를 포함하는 조성물을 코팅하는 단계를 포함하는 백색 발광 다이오드의 제조방법
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