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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132165
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 태양전지(1)의 제조방법은 (a) 기판(10)을 준비하는 단계; (b) 기판(10) 상에 금속 반사층(20)을 형성하는 단계; (c) 소정의 패턴(52)을 가지는 몰드(50)로 금속 반사층(20)을 나노 임프린팅 하여 금속 반사층(20) 상부에 요철 패턴(22)을 형성하는 단계; (d) 금속 반사층(20) 상에 반도체층(30)을 형성하는 단계; 및 (e) 반도체층(30) 상에 상부 전극(40)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01)
출원번호/일자 1020100066767 (2010.07.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1116977-0000 (2012.02.08)
공개번호/일자 10-2012-0006179 (2012.01.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 오상철 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 가이아에너지 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0446854-39
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0508466-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0323992-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0632818-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0632857-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0063986-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판 상에 금속 반사층을 형성하는 단계;(c) 소정의 패턴을 가지는 몰드로 상기 금속 반사층을 나노 임프린팅 하여 상기 금속 반사층 상부에 요철 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 금속 반사층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 반도체층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 요철 패턴이 형성된 금속 반사층에서 태양전지 내로 유입된 광이 반사되어 광의 경로가 증대됨으로써 광전 변환 효율이 향상되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 반사층의 재질은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 몰드의 재질은 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 반사층은 하부 전극의 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 반도체층 및 상기 상부 전극은 상기 금속 반사층의 상기 요철 패턴의 형상을 유지하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
기판;상기 기판 상에 형성되고, 소정의 패턴을 가지는 몰드로 나노 임프린팅 하여 상부에 요철 패턴이 형성된 금속 반사층;상기 금속 반사층 상에 형성된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 형성된 상부 전극을 포함하며,상기 요철 패턴이 형성된 금속 반사층에서 태양전지 내로 유입된 광이 반사되어 광의 경로가 증대됨으로써 광전 변환 효율이 향상되는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제6항에 있어서,상기 금속 반사층의 재질은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제6항에 있어서,상기 몰드의 재질은 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제6항에 있어서,상기 금속 반사층은 하부 전극의 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제6항에 있어서,상기 반도체층 및 상기 상부 전극은 상기 금속 반사층의 상기 요철 패턴의 형상을 유지하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술재단 고려대학교 산학협력단 전략기술인력양성사업 고효율 초박형 저가 태양광 소자기술 인력양성 사업