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나노 막대를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132179
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 막대를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 PLD(Pulsed Laser Deposition) 방식으로, 나노 막대의 측면에 나노 막대의 타입과 대응되는 타입의 물질을 증착하여 나노 막대의 측면에 PN 접합을 형성하고, 나노 막대의 측면에 형성된 PN 접합부를 모두 면광원으로 사용함으로써, 종래 기술에 비하여 발광 면적을 확대하여 발광 효율을 현저하게 향상시키는 효과가 있다. 또한, 종래 기술에 비하여, 본 발명은 PN 접합 면적이 확대됨으로써 전기적 안정성 측면에서 서로 다른 두 반도체의 접촉 저항을 감소시킴으로써 소자의 수명을 연장시키고, 접촉면에서의 열 발생을 감소시킴으로써 소자의 안정적인 동작에도 기여하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 고온에서 증착이 수행되는 기존 CVD 방법에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 증착이 수행되는 PLD 방식을 이용함으로써, 나노 막대에 추가적으로 후막을 증착하여 발광부를 생성할 때, 기성장된 나노 막대 구조의 안정성으로 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 PLD 방식으로 나노 막대에 후막을 증착하므로, 증착되는 물질을 용이하게 변경할 수 있고, 이에 따라서 발생되는 빛의 파장을 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01)
출원번호/일자 1020100034407 (2010.04.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1130224-0000 (2012.03.19)
공개번호/일자 10-2011-0114984 (2011.10.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김규태 대한민국 경기도 광명시 가림일로 **,
2 최재완 대한민국 서울특별시 성북구
3 지현진 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0238168-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0438544-39
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0772003-50
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0154805-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판위에 배치되어 전원이 인가되면 빛을 발생시키는 발광부; 및상기 발광부로 전원을 인가하는 전극부;를 포함하고,상기 발광부는 n-type 또는 p-type으로 도핑된 나노 막대, 및 상기 나노 막대와 대응되도록 p-type 또는 n-type 으로 도핑되어 상기 나노 막대의 측면에 접합하는 측면부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 측면부는 상기 나노 막대의 일부 영역을 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전극부는 상기 나노 막대 및 측면부와 모두 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전극부는 상기 발광부의 양 단부에 접촉되는 한 쌍의 전극을 포함하고,상기 한 쌍의 전극 각각은 서로 다른 타입의 메탈로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자
5 5
(a) 소정의 반도체 기판위에 n-type 또는 p-type으로 도핑된 나노 막대를 성장시키는 단계;(b) 상기 나노 막대의 측면에 상기 나노 막대와 대응되도록 p-type 또는 n-type 으로 도핑된 측면부를 형성하여 발광부를 생성하는 단계;(c) 상기 발광부를 상기 반도체 기판으로부터 분리하는 단계; 및(d) 상기 발광부를 기판에 배치하고 상기 발광부에 전원을 공급하는 전극부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 (b) 단계는PLD(Pulsed Laser Deposition) 방식으로 상기 측면부가 상기 나노 막대의 일부 영역을 감싸도록 상기 측면부를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 전극부를 상기 나노 막대 및 측면부와 모두 접촉하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 전극부는 상기 발광부의 양 단부에 접촉되는 한 쌍의 전극을 포함하고,상기 (d) 단계는, 상기 한 쌍의 전극 각각을 서로 다른 타입으로 도핑된 메탈로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 이용한 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단/한국과학재단/한국과학재단 한국과학재단/한국화학연구원/한국화학연구원 원천기술개발사업/원천기술개발사업/세계적수준의연구중심대학육성사업 나노선소자 안정화 핵심기술/유무기 나노재료의 복합체 소자 구현기술 개발(총괄과제명:분자제어 NIT 융복합 소자기술개발)/플렉서블 나노시스템 기반기술