맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지 제조방법 및 그로 인해 제조된 태양전지

  • 기술번호 : KST2015132182
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 층을 결정질 실리콘 기판에 증착시켜 고온의 어닐링(annealing) 공정을 통해 상기 불순물을 결정질 실리콘 기판으로 확산시켜 에미터(emitter)를 형성하고 연속적으로 반사방지막을 형성하여 종래 태양전지 제조시 반드시 필요한 PSG(PhosphoSilicate Glass) 제거 공정 및 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정을 감축시킨 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 p-n 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01)
출원번호/일자 1020100110889 (2010.11.09)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1129422-0000 (2012.03.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.09)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 용산구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 박성은 대한민국 부산광역시 남구
4 김영도 대한민국 서울특별시 서초구
5 박효민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0730162-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0471931-14
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0831780-14
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0831767-20
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0151487-61
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 결정질 실리콘 기판 전면에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 층을 증착하는 단계; 및(b) 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층이 증착된 결정질 실리콘 기판을 어닐링(annealing)하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서는,어닐링에 의해 상기 불순물이 상기 결정질 실리콘 기판으로 확산되어 에미터가 형성되고, 연속적으로 상기 불순물이 빠져나간 비정질 실리콘층이 반사방지막으로 변환되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판은 p형이며, 상기 불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 n형 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb)로 이루어진 그룹에서 선택된 1종의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판은 n형이며, 상기 불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 p형 불순물은 보론(B), 갈륨(Ga) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 3항에 있어서,상기 (b) 단계는 800 내지 900 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
9 9
제 5항에 있어서,상기 (b) 단계는 900 내지 1100 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계는 질소(N2) 또는 산소(O2) 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 반사방지막은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 에너지 관리공단 고려대학교 산학협력단 신재생에너지기술개발사업 비접촉식 공정을 이용한 초박형 고효율 실리콘 태양전지 기술개발