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(a) 제1 도전형(first conductivity)을 갖는 제1 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 활성층 상에 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 단계; (d) 상기 제2 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 투명 전극층 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 요철 패턴층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (e) 단계는, (e1) 소정의 패턴을 가지는 몰드에 고굴절률 물질이 분산된 레진 혼합물을 도포하는 단계; 및 (e2) 상기 몰드를 상기 투명 전극층 상부에 압착시켜 상기 투명 전극층 상에 상기 요철 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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(a) 제1 도전형(first conductivity)을 갖는 제1 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 활성층 상에 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 단계;(d) 상기 제2 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 투명 전극층 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 요철 패턴층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (e) 단계는, (e1) 상기 투명 전극층 상에 폴리머층을 형성하는 단계; (e2) 상기 폴리머층 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 마스크 패턴층을 형성하는 단계; (e3) 상기 마스크 패턴층을 마스크로 이용하여 상기 폴리머층을 식각함으로써 상기 투명 전극층 상에 볼록부를 형성하는 단계; (e4) 상기 볼록부 사이의 공간에 고굴절률 물질을 퇴적시킴으로써 상기 투명 전극층 상에 상기 요철 패턴층을 형성하는 단계; 및 (e5) 상기 폴리머층 및 상기 마스크 패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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(a) 제1 도전형(first conductivity)을 갖는 제1 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 활성층 상에 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 제2 반도체층 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 요철 패턴층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (d) 단계는, (d1) 소정의 패턴을 가지는 몰드에 고굴절률 물질이 분산된 레진 혼합물을 도포하는 단계; 및 (d2) 상기 몰드를 상기 제2 반도체층 상부에 압착시켜 상기 제2 반도체층 상에 상기 요철 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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(a) 제1 도전형(first conductivity)을 갖는 제1 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 활성층 상에 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 제2 반도체층 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 요철 패턴층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (d) 단계는, (d1) 상기 제2 반도체층 상에 폴리머층을 형성하는 단계; (d2) 상기 폴리머층 상에 나노 임프린팅 기법을 이용하여 마스크 패턴층을 형성하는 단계; (d3) 상기 마스크 패턴층을 마스크로 이용하여 상기 폴리머층을 식각함으로써 상기 제2 반도체층 상에 볼록부를 형성하는 단계; (d4) 상기 볼록부 사이의 공간에 고굴절률 물질을 퇴적시킴으로써 상기 제2 반도체층 상에 상기 요철 패턴층을 형성하는 단계; 및 (d5) 상기 폴리머층 및 상기 마스크 패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철 패턴층은 TiO2, ZnO, AZO, ITO, FTO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철 패턴층의 굴절률은 1
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 반도체층의 도전형은 n형이고, 상기 제2 반도체층의 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 몰드를 상기 투명 전극층 상부에 압착시키기 이전에 상기 투명 전극층과 상기 레진 혼합물과의 접착력을 향상시키기 위하여 상기 투명 전극층 상에 산소 플라즈마 처리 공정, 세정 공정, 자외선 공정, 접착 증진제(adhesion promoter)를 코팅하는 공정 중에 적어도 하나의 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 몰드를 상기 제2 반도체층 상부에 압착시키기 이전에 상기 제2 반도체층과 상기 레진 혼합물과의 접착력을 향상시키기 위하여 상기 제2 반도체층 상에 산소 플라즈마 처리 공정, 세정 공정, 자외선 공정, 접착 증진제(adhesion promoter)를 코팅하는 공정 중에 적어도 하나의 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제2항 또는 제4항에 있어서,상기 폴리머층의 식각은 산소 플라즈마를 이용하여 수행되며, 상기 마스크 패턴층은 상기 폴리머층에 비하여 산소 플라즈마에 대해서 높은 에치 저항성(etch resistance)을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 반도체층의 도전형은 p형이고, 상기 제2 반도체층의 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법을 이용하여 제조된 발광 다이오드
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