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태양전지의 인쇄패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015132212
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 태양전지의 인쇄패턴 형성방법에 있어서, 스크린 인쇄법을 이용하여 전극에 인쇄패턴을 형성하는 단계; 상기 형성된 인쇄패턴의 결함 여부를 확인하는 단계; 상기 확인된 인쇄패턴의 결함부분을 비접촉식 인쇄법으로 수정하는 단계 및 상기 비접촉식 인쇄 후 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지 인쇄패턴 형성방법이 개시된다.본 발명에 따르면, 비접촉식 인쇄법으로서 잉크젯 인쇄 또는 에어로졸 인쇄를 사용하여 실리콘 기판에 대한 물리적 손상을 최소화시키면서 태양전지의 전면전극 인쇄패턴 결함 부분을 수정함으로써 태양전지 제조 중 전면전극 인쇄패턴의 부분적인 스크린 인쇄 실패로 인해 파기되는 태양전지를 현저히 줄여 태양전지의 제조 단가를 낮출 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020100091046 (2010.09.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1170109-0000 (2012.07.25)
공개번호/일자 10-2012-0029138 (2012.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 용산구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 박성은 대한민국 부산광역시 남구
4 송주용 대한민국 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0603660-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0084943-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0738100-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0114649-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0114624-72
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0423060-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
태양전지의 인쇄패턴 형성 방법에 있어서, 스크린 인쇄법을 이용하여 전면전극에 인쇄패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 전면전극의 인쇄패턴의 결함 여부를 확인하는 단계;상기 확인된 전면전극의 인쇄패턴의 결함 부분을 비접촉식 인쇄법으로 수정하는 단계; 및상기 비접촉식 인쇄 후 열처리하는 단계;를 포함하는 태양전지의 인쇄패턴 형성방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 스크린 인쇄법을 이용하여 전극에 인쇄패턴을 형성하는 단계는,스크린 마스크를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 전면에 은(Ag) 페이스트를 인쇄하는 단계;상기 은(Ag) 페이스트가 인쇄된 실리콘 웨이퍼를 건조시키는 단계; 및상기 건조된 실리콘 웨이퍼를 소성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 인쇄패턴 형성방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 소성단계의 온도는 600℃ 내지 900℃인 것을 특징으로 하는 태양전지의 인쇄패턴 형성방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 비접촉식 인쇄법은 잉크젯 인쇄(Ink-jet printing) 또는 에어로졸 인쇄(Aerosol printing)인 것을 특징으로 하는 태양전지 인쇄패턴 형성방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 열처리 단계는 100 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 인쇄패턴 형성방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 열처리 단계는 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 인쇄패턴 형성방법
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따라 제조된 태양전지 인쇄패턴
8 8
제 7항에 따른 태양전지 인쇄패턴을 구비하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 에너지관리공단 고려대학교 산학협력단 신재생에너지 기술개발사업 비접촉식 공정을 이용한 초박형 고효율 실리콘 태양전지 기술개발