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실리콘 웨이퍼의 후면 전체에 Al 페이스트를 증착하여 후면전극층을 형성하는 단계;상기 Al 페이스트를 증착한 실리콘 웨이퍼를 소성하여, 상기 후면전극층과 상기 실리콘 웨이퍼의 사이에 후면전계(Back Surface Field: BSF)를 형성하는 단계; 및상기 후면전극층에 금속 플라즈마 이온을 주입 및 증착하여 상기 후면전극층의 표면을 개질하는 단계; 를 포함하는 이온믹싱법을 이용한 태양전지의 후면전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 플라즈마 이온의 이온원은 Ag, Cu, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 플라즈마 이온 주입단계는, 상기 금속 플라즈마 이온을 상기 후면전극층에 유도시키고 상기 후면전극층에 고전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 제조방법
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실리콘 웨이퍼의 후면 전체에 Al 페이스트를 증착하여 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층에 금속 플라즈마 이온을 주입 및 증착하여 상기 후면전극층의 표면을 개질하는 단계; 및상기 후면전극층 표면이 개질된 실리콘 웨이퍼를 소성하여, 상기 후면전극층과 상기 실리콘 웨이퍼의 사이에 후면전계(Back Surface Field: BSF)를 형성하는 단계; 를 포함하는 이온믹싱법을 이용한 태양전지의 후면전극 제조방법
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제5항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속 플라즈마 이온의 이온원은 Ag, Cu, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속 플라즈마 이온 주입단계는, 상기 금속 플라즈마 이온을 상기 후면전극층에 유도시키고 상기 후면전극층에 고전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 제조방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 태양전지 후면전극
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태양전지 후면전극에 있어서,실리콘 웨이퍼; 상기 실리콘 웨이퍼 후면의 전체에 형성된 후면전계;상기 후면전계 후면의 전체에 형성된 후면전극층; 및상기 후면전극층 후면의 전체에 형성된 표면 개질된 후면전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 후면전극
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제10항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극
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제10항에 있어서,상기 표면 개질된 후면전극층은, 금속 플라즈마 이온이 주입 및 증착되어 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극
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제12항에 있어서,상기 금속 플라즈마 이온의 이온원은 Ag, Cu, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극
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제12항에 있어서,상기 금속 플라즈마 이온 주입은, 상기 금속 플라즈마 이온을 상기 후면전극층에 유도시키고 상기 후면전극층에 고전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극
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