| 1 |
1
기판 상에 성장된 결정층을 포함하는 이종접합구조의 반도체 소자를 준비하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 양성자를 조사하는 단계;를 포함하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 결정층은 ZnO, GaAs, GaP, 및 GaN계 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소(GaAs), 및 사파이어 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께는 300 내지 500㎛이고, 상기 양성자의 에너지는 5 내지 8 MeV 인 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께가 300㎛일 때, 상기 양성자의 에너지는 5 내지 6 MeV 인 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께가 400㎛일 때, 상기 양성자의 에너지는 6 내지 7 MeV 인 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께가 500㎛일 때, 상기 양성자의 에너지는 7 내지 8 MeV 인 것을 특징으로 하는 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법
|
| 9 |
9
기판 상에 성장된 결정층을 포함하는 이종접합구조의 반도체 소자에 있어서,상기 기판의 후면에 양성자가 조사되어 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 결정층은 ZnO, GaAs, GaP, 및 GaN계 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소(GaAs), 및 사파이어 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께는 300 내지 500㎛이고, 상기 양성자의 에너지는 5 내지 8 MeV 인 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께가 300㎛일 때, 상기 양성자의 에너지는 5 내지 6 MeV 인 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께가 400㎛일 때, 상기 양성자의 에너지는 6 내지 7 MeV 인 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,상기 실리콘(Si) 기판의 두께가 500㎛일 때, 상기 양성자의 에너지는 7 내지 8 MeV 인 것을 특징으로 하는 전기적 특성이 향상된 이종접합구조의 반도체 소자
|
