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발광 소자, 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132226
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자 제조 방법은 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층된 발광 구조체를 형성하는 단계, 상기 제2 도전형 반도체층 표면에 서로 이격하는 홈들을 포함하는 제1 요철 패턴을 형성하는 단계, 상기 홈들 각각의 내부에 적어도 하나의 나노 입자를 채우는 단계, 상기 홈들 내부에 채워진 나노 입자들을 식각하여 크기를 줄이는 단계, 상기 크기가 준 나노 입자들을 마스크로 이용하여 상기 홈들이 형성된 제2 도전형 반도체층을 식각하여 상기 홈들 내부에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 요철 패턴 형성 후 잔류하는 나노 입자들을 제거하는 단계, 및 상기 제1 요철 패턴 및 제2 요철 패턴이 형성된 제2 도전형 반도체층 상에 전도층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100073970 (2010.07.30)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0012074 (2012.02.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.15)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최운경 대한민국 서울특별시 중구
2 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 안호명 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0494866-46
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0500736-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1246888-17
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0574913-32
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0022401-19
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0354875-72
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0658378-97
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0658379-32
14 등록결정서
Decision to grant
2016.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0844011-67
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조체; 및상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 전도층 및 상기 전도층 상에 배치되는 전극 패드를 포함하는 전극을 포함하며,상기 제2 도전형 반도체층의 표면에는 제1 주기를 갖는 제1 요철 패턴 및 상기 제1 주기와 다른 제2 주기를 갖는 제2 요철 패턴을 포함하는 제1 광추출 구조가 마련되고,상기 제2 요철 패턴은 상기 제1 요철 패턴의 오목부 영역에 배치되고,상기 전도층은 상기 제1 광추출 구조와 동일한 프로파일(profile)을 갖는 제2 광추출 구조를 포함하는 발광 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 요철 패턴의 오목부와 상기 제2 요철 패턴의 오목부는 동일 평면 상에 위치하는 발광 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 요철 패턴의 볼록부의 높이는 상기 제2 요철 패턴의 볼록부의 높이보다 큰 발광 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 주기는 10um ~ 100um이고, 상기 제2 주기는 500nm ~ 600nm인 발광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 기판 표면에는 서로 다른 주기를 갖는 제3 요철 패턴 및 제4 요철 패턴이 마련되고, 상기 제4 요철 패턴은 상기 제3 요철 패턴의 오목부 영역에 배치되는 발광 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 전도층의 제2 광추출 구조의 오목부는 상기 제1 광추출 구조의 제2 요철 패턴의 볼록부보다 높게 위치하는 발광 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 전극 패드는 상기 전도층의 제2 광추출 구조 상에 배치되는 발광 소자
8 8
기판 표면에 서로 이격하는 홈들을 포함하는 제1 요철 패턴을 형성하는 단계;상기 홈들 각각의 내부에 적어도 하나의 나노(nano) 입자를 채우는 단계;상기 홈들 내부에 채워진 나노 입자들을 식각하여 크기를 줄이는 단계;상기 크기가 준 나노 입자들을 마스크로 이용하여 상기 홈들이 형성된 기판을 식각하여 상기 홈들 내부에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 요철 패턴 형성 후 잔류하는 나노 입자들을 제거하는 단계; 및상기 제1 요철 패턴 및 제2 요철 패턴이 형성된 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층된 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
9 9
기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층된 발광 구조체를 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 표면에 서로 이격하는 홈들을 포함하는 제1 요철 패턴을 형성하는 단계;상기 홈들 각각의 내부에 적어도 하나의 나노 입자를 채우는 단계;상기 홈들 내부에 채워진 나노 입자들을 식각하여 크기를 줄이는 단계;상기 크기가 준 나노 입자들을 마스크로 이용하여 상기 홈들이 형성된 제2 도전형 반도체층을 식각하여 상기 홈들 내부에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 요철 패턴 형성 후 잔류하는 나노 입자들을 제거하는 단계; 및상기 제1 요철 패턴 및 제2 요철 패턴이 형성된 제2 도전형 반도체층 상에 전도층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
10 10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 요철 패턴을 형성하는 단계는,포토리쏘그라피(photolithography) 공정 및 식각 공정을 이용하여 상기 제1 요철 패턴을 형성하는 발광 소자의 제조 방법
11 11
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노 입자들은 금속 클러스터(metal cluster), 실리카 나노파티클(silica nanoparticle), 또는 폴리스티렌 비드(polystyrene bead)인 발광 소자의 제조 방법
12 12
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노 입자를 채우는 단계는,스핀 코팅(spin coating) 또는 졸-겔(sol-gel) 방법을 이용하여 나노 입자들을 홈들 내부에 채우는 발광 소자의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 전도층을 형성하는 단계는,상기 제1 요철 패턴 및 제2 요철 패턴이 형성된 제2 도전형 반도체층의 표면과 동일한 프로파일을 갖도록 상기 전도층을 형성하는 발광 소자의 제조 방법
14 14
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 홈들 각각의 내부에 적어도 하나의 나노 입자를 채우는 단계는,상기 홈들 각각의 내부에 적어도 하나의 나노 입자를 단일층으로 채우는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.