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전극을 포함하는 기판을 Na2SO4, 구리(Cu) 수용성 전구체, 인듐(In) 수용성 전구체, 갈륨(Ga) 수용성 전구체 및 셀레늄(Se) 수용성 전구체를 포함하는 전해질 용액에 침지하는 단계; 상기 전해질 용액을 상온, 상압에서 DC로 -0
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청구항 1에 있어서,상기 전극을 포함하는 기판은 몰리브덴 전극 또는 실리콘 전극을 포함하는기판인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전해질 용액은 구리(Cu) 수용성 전구체, 인듐(In) 수용성 전구체, 갈륨(Ga) 수용성 전구체 및 셀레늄(Se) 수용성 전구체를 각각 0
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청구항 1에 있어서,상기 구리(Cu) 수용성 전구체는 Cu(NO3)2, CuSO4 및 이들의 수화물 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 인듐(In) 수용성 전구체는 In(NO3)3, In2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 갈륨(Ga) 수용성 전구체는 Ga(NO3)3, Ga2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 셀레늄(Se) 수용성 전구체는 SeO2, H2SeO3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전해질 용액의 pH는 2~3인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전해질 용액 중 구리(Cu)와 인듐(In)과 갈륨(Ga)과 셀레늄(Se)의 원자비는 0
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10
청구항 9에 있어서,상기 전해질 용액 중 구리(Cu)와 인듐(In)과 갈륨(Ga)과 셀레늄(Se)의 원자비는 1:2:4:3인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 CIGS 박막에 있어서, 원자비인 Ga/(In+Ga)는 0
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