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제1 도전형(first conductivity)을 갖는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성되어 있으며 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층; 및상기 제2 반도체층 상에 형성된 광결정 패턴층을 포함하되,상기 광결정 패턴층은 전극층 및 광반사 조절층이 순차적으로 적층되어 형성되고, 상기 광결정 패턴층의 상부면은 요철 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 요철 패턴의 오목부의 윤곽(profile)은 상기 광반사 조절층의 상면(top surface)부터 상기 광반사 조절층의 하면(bottom surface)까지 제거되어 형성된, 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 요철 패턴의 오목부의 윤곽(profile)은 상기 광결정 패턴층의 상면(top surface)부터 상기 광결정 패턴층의 하면(bottom surface)까지 제거되어 형성된, 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 요철 패턴의 오목부의 윤곽(profile)은 상기 광결정 패턴층의 상부(upper portion)가 제거되어 형성되고, 상기 광결정 패턴층의 상부(upper portion)는 상기 전극층의 일부를 포함하는, 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형을 갖는 제1 반도체층은 n형 반도체층이고, 상기 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층은 p형 반도체층인, 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 광반사 조절층은 산화물 또는 질화물로 되어 있는, 발광 다이오드
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제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 발광 다이오드를 포함하는, LED 램프
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제1 도전형을 갖는 제1 반도체층, 활성층, 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층, 및 전극층이 순차적으로 적층되어 구성된 제1 층 상에 광반사 조절층을 형성하는 단계;상기 광반사 조절층 상에 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 광반사 조절층을 식각하는 단계를 포함하는,발광 다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 광반사 조절층을 식각하는 단계에서, 상기 광반사 조절층의 상면(top surface)부터 상기 광반사 조절층의 하면(bottom surface)까지 식각되는, 발광 다이오드 제조방법
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제10항에 있어서,상기 마스크층과 상기 광반사 조절층의 잔여부를 마스크로써 이용하여 상기 전극층을 식각하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서,상기 전극층을 식각하는 단계에서, 상기 전극층의 상부가 식각되거나, 상기 전극층의 상면(top surface)부터 상기 전극층의 하면(bottom surface)까지 식각되는, 발광 다이오드 제조방법
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제9항 또는 제11항에 있어서,상기 마스크층을 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 광반사 조절층이 산화물이면 상기 광반사 조절층은 염소(chlorine) 계열의 플라즈마에 의해 식각되고, 상기 광반사 조절층이 질화물이면 상기 광반사 조절층은 CF4, CHF3, NF3, C3F8, 및 C4F8 중 어느 하나의 플라즈마에 의해 식각되는, 발광 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서,상기 광반사 조절층이 산화물이면, 상기 광반사 조절층은 염소(chlorine) 계열의 플라즈마에 의해 식각되고, 상기 전극층은 Cl2, CH4, 및 Ar 중 어느 하나의 플라즈마에 의해 식각되며,상기 광반사 조절층이 질화물이면, 상기 광반사 조절층은 CF4, CHF3, NF3, C3F8, 및 C4F8 중 어느 하나의 플라즈마에 의해 식각되고, 상기 전극층은 Cl2, CH4, 및 Ar 중 어느 하나의 플라즈마에 의해 식각되는, 발광 다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 마스크층을 형성하는 단계는,상기 광반사 조절층 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 폴리머 재질의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 폴리머 재질의 패턴을 마스크로써 이용하여 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
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제16항에 있어서,상기 폴리머 재질의 패턴은 나노 임프린팅 공정에 의해 형성되는, 발광 다이오드 제조방법
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