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탄소나노튜브가 채워진 홀패턴을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132392
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 본 발명은 주기적인 홀패턴을 투명 전극층에 광결정 구조로서 형성하여, 광추출 효율을 향상시킬뿐만 아니라, 투명 전극층에 홀패턴을 형성함으로써, 투명 전극층과 반도체층과 접합하는 면적을 감소시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 홀패턴 내부에 전도도가 뛰어나면서도 투과성이 양호한 탄소나노튜브를 채움으로써 투명 전극층의 전도도를 향상시켜 전류 분산 효과를 높이고, current crowding을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020100040893 (2010.04.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1126300-0000 (2012.03.06)
공개번호/일자 10-2011-0121338 (2011.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김동호 대한민국 서울특별시 노원구
3 채동주 대한민국 서울특별시 강남구
4 김경헌 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0282451-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002704-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0398080-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0727011-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0726976-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0130250-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판에 형성되어, 순방향 전압이 인가되면 빛을 발생시키는 반도체층;상기 반도체층 위에 형성되고, 홀패턴이 형성된 제 1 투명 전극층; 및상기 홀패턴 내부에 채워진 탄소나노튜브를 포함하고,상기 반도체층은 상기 기판위에 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 투명 전극층 위에 형성된 제 2 투명 전극층을 더 포함하는 것을 더 포함하는 반도체 발광 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 2 투명 전극층은 상기 제 1 투명 전극층과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
4 4
삭제
5 5
반사층;상기 반사층 위에 형성된 제 2 투명 전극층;상기 제 2 투명 전극층 위에 형성되고, 홀패턴이 형성된 제 1 투명 전극층;상기 제 1 투명 전극층의 홀패턴에 채워진 탄소나노튜브; 및상기 제 1 투명 전극층 위에 형성되어, 순방향 전압이 인가되면 빛을 발생시키는 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 투명 전극층은 상기 제 2 투명 전극층과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 제 1 투명 전극층 위에 p-GaN층, 활성층, 및 n-GaN층이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
8 8
(a) 순방향 전압이 인가되면 빛을 발생시키는 반도체층을 기판에 형성하는 단계;(b) 제 1 투명 전극층을 상기 반도체층 위에 형성하는 단계; 및(c) 상기 제 1 투명 전극층에 홀 패턴을 형성하고, 상기 제 1 투명 전극층에 형성된 홀패턴 내부에 탄소나노튜브를 채우는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계는 상기 기판위에 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층이 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계는(c1) 상기 제 1 투명 전극층 위에 포토 레지스트층을 형성하는 단계;(c2) 상기 포토 레지스트층에 홀 패턴을 형성하는 단계; 및(c3) 상기 포토 레지스트층에 형성된 홀 패턴을 이용하여 상기 제 1 투명 전극층을 식각하여 상기 제 1 투명 전극층에 홀패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 (c2) 단계는Laser-interference lithography 또는 nano-structure lithography 방식을 이용하여 상기 포토 레지스트층에 홀패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 (c) 단계는(c4) 상기 제 1 투명 전극층 위에 탄소나노튜브가 포함된 용액을 딥핑(dipping)하여 상기 홀패턴 내부에 탄소나노튜브를 채우는 단계; 및(c5) 상기 홀패턴이 형성된 포토 레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
12 12
제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, (d) 상기 제 1 투명 전극층과 동일한 물질로, 상기 제 1 투명 전극층 위에 제 2 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, (e) 상기 제 2 투명 전극층 위에 반사층 및 접착층을 차례로 형성하는 단계; (f) 상기 접착층과 서브마운트 기판위에 형성된 솔더를 접합하는 단계; 및(g) 상기 기판과 상기 반도체층 사이를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.