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수직자기이방성을 가지는 코발트-철-보론/팔라듐 다층박막 및 이를 이용하여 제조한 자기 랜덤 액세스 메모리

  • 기술번호 : KST2015132415
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직자기이방성을 가지는 CoFeB/Pd 다층박막 및 이를 이용하여 제조한 자기 랜덤 액세스 메모리에 관한 것으로, 기판 상부에 형성되는 Pd층 및 상기 Pd층 상부에 형성되는 [CoFeB/Pd]N(N은 3이상의 자연수)를 포함하는 다층박막을 제공하되, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 사파이어 기판 및 산화마그네슘 기판 중 어느 하나를 사용 하고, 상기 기판 및 Pd층 사이에 형성되는 Al 또는 Ta 시드층을 더 포함시킴으로써, 40 ~ 600 Oe의 높은 보자력(Hc)을 가지는 우수한 수직자기이방성을 나타내도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020100003614 (2010.01.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1209328-0000 (2012.11.30)
공개번호/일자 10-2011-0083403 (2011.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (20121206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 서울특별시 성북구
2 이성래 대한민국 서울특별시 강남구
3 정종호 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0025809-87
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0008076-66
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0051245-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0029997-22
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0232208-38
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0498474-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0590476-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0590475-62
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0048747-43
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.02.24 수리 (Accepted) 7-1-2012-0008946-44
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0233101-18
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0233100-73
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0234384-36
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503672-77
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0503673-12
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0702220-68
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 Al 또는 Ta 재질의 시드층;상기 시드층 상에 5 ~ 20nm 두께로 형성된 Pd층; 및상기 Pd층 상부에 형성되며, [CoFeB/Pd]이 N회 반복 적층된(N은 3이상의 자연수) 다층막;를 포함하며,상기 Pd층은 상기 시드층에 직접 접촉하여 형성되고, 상기 CoFeB은 CoxFeyBz(원자%, x+y+z=100)의 조성으로 형성하되, 상기 x=43~58이고, y=15~30이고, z=27인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 다층박막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 사파이어 기판 및 산화마그네슘 기판 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 다층박막
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 시드층의 두께는 5 ~ 20nm인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 다층박막
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 CoFeB/Pd에서 CoFeB의 두께:Pd의 두께는 1:2
7 7
제 1 항에 있어서,상기 N은 3 ~ 20인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성 다층박막
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
상기 제1항, 제2항, 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 하나의 항의 수직자기이방성 다층박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 IT산업원천기술개발사업 수직자화 STT-MRAM 구동 모델링 및 셀 최적화 기술개발