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핀홀이 제거된 황화카드뮴/카드뮴텔룰라이드 박막 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132440
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핀홀이 제거된 CdS/CdTe 박막 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 증착된 투명전도 산화막; 상기 투명전도 산화막 상에 증착된 CdS 박막; 및 상기 CdS 박막 상에 증착된 CdTe 박막; 을 포함하고, 상기 CdTe 박막의 표면 및 박막 내의 핀홀에 2차 CdTe 박막이 형성되어 상기 핀홀이 제거된 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지가 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/073 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110036766 (2011.04.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0119042 (2012.10.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 용산구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 천승주 대한민국 서울특별시 성북구
4 박성은 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0293415-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0379714-13
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0143909-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0800287-20
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1276587-07
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1276591-80
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0349617-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 증착된 투명전도 산화막;상기 투명전도 산화막 상에 증착된 CdS 박막; 및상기 CdS 박막 상에 증착된 CdTe 박막;을 포함하고,상기 CdTe 박막의 표면 및 박막 내의 핀홀에 2차 CdTe 박막이 형성되어 상기 핀홀이 제거된 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 CdTe 박막은 근접승화법(Close Spaced sublimation, CSS)을 사용하여 증착된 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 2차 CdTe 박막은 전기도금법 또는 양극산화법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 CdS 박막은 화학적 용액성장법(chemical bath deposition, CBD) 또는 스퍼터링법을 사용하여 증착된 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지
5 5
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 투명전도 산화막을 증착하는 단계;상기 투명전도 산화막 상에 CdS 박막을 증착하는 단계;상기 CdS 박막 상에 CdTe 박막을 증착하는 단계; 및상기 CdTe 박막의 표면 및 박막 내의 핀홀에 2차 CdTe 박막을 형성시켜 상기 핀홀을 제거하는 단계;를 포함하는 CdS/CdTe 박막 태양전지의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 CdTe 박막은 근접승화법(Close Spaced sublimation, CSS)을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 2차 CdTe 박막 형성은 전기도금법 또는 양극산화법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 CdS 박막은 화학적 용액성장법(chemical bath deposition, CBD)을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교 산학협력단 에너지자원인력양성사업 태양전지 기반기술 고급트랙