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탄소나노튜브를 포함하는 전자소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132513
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브를 포함하는 전자소자의 제조방법에 있어서, 탄소나노튜브 상에 니코틴아미드 또는 니코틴아미드를 포함하는 화합물을 포함하는 용액을 스핀코팅하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/04 (2014.01) H01L 33/00 (2014.01) H01L 21/336 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 21/67167(2013.01)
출원번호/일자 1020110016077 (2011.02.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1187203-0000 (2012.09.25)
공개번호/일자 10-2012-0096775 (2012.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20121002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 대한민국 서울특별시 노원구
2 윤장열 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0131406-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006955-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0100224-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0322966-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0322967-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0536131-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
탄소나노튜브를 포함하는 전자소자의 제조방법에 있어서,탄소나노튜브 상에 니코틴아미드 또는 니코틴아미드를 포함하는 화합물을 포함하는 용액을 400~600rpm에서 10~15분 동안 제1 스핀코팅하고, 1800~2200rpm으로 20~30분 동안 제2 스핀코팅하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 니코틴아미드를 포함하는 화합물은 니코틴 아미드 모노뉴클레오티드(NMN: Nicotinamide Mononucleotide), 니코틴아미드 아데닌 디뉴클레오티드(NAD: Nicotionamide Adenine Dinuclotide) 및 니코틴아미드 아데닌 디뉴클레오티드 인산(NADP: Nicotinamide Adenine Dinucleotide Phosphate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 전자소자의 제조방법은, 상기 제1 스핀코팅 후에, 60~70℃에서 24 시간 내지 36시간 동안 제1 가열하고,상기 제2 스핀코팅 후에, 60~70℃에서 24 시간 내지 36시간 동안 제2 가열하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 중견연구자지원_도약연구 SiP(System in Package) 소자 응용을 위한 상향식(bottom-up) 다층 패터닝 공정