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1
(a) 제 1형 불순물을 포함하며 상호 이격된 복수의 금속전극을 제 2형 불순물을 포함하는 기판상에 형성하는 단계;
(b) 상기 복수의 금속전극 사이의 기판 상에 제 1형 불순물을 포함하는 페이스트를 적층하는 단계;
(c) 상기 금속전극 및 페이스트를 가열하여 제 1형 불순물을 함유하는 에미터층을 상기 기판에 형성하는 동시에 상기 금속전극을 소결시키는 단계; 및
(d) 상기 기판 및 금속전극상에 반사방지막을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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2
제 1항에 있어서,
(c) 단계의 상기 에미터층은 상기 금속전극과 접하는 에미터층의 제 1형 불순물 농도가 상기 금속전극 사이의 에미터층의 제 1형 불순물 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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3
제 1항에 있어서,
상기 제 1형 불순물은 n형 불순물이고, 상기 제 2형 불순물을 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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4
제 1항에 있어서,
상기 제 1형 불순물은 인(P)인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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5
제 1항에 있어서,
상기 페이스트는 POCl3를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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6
제 1항에 있어서,
상기 금속전극은 은을 함유하는 태양전지 전면전극인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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7
제 1항에 있어서,
상기 반사방지막은 질화규소막(SiNx)이며, 상기 반사방지막의 적층은 플라즈마-강화 CVD(Plasma Enhanced CVD)에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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8
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(a) 제 2형 불순물을 포함하는 기판상에 제 1형 불순물을 포함하며 서로 이격된 복수의 금속전극을 기판상에 형성하는 단계;
(b) 상기 기판에 제 1형 불순물을 함유하는 기체를 도입하는 단계;
(c) 상기 금속전극 및 기판을 가열하여 제 1형 불순물을 포함하는 에미터층을 상기 기판에 형성하는 동시에 상기 금속전극을 소결시키는 단계;
(d) 상기 기판의 측면에 형성된 에미터층을 제거하는 단계; 및
(e) 상기 기판상에 반사방지막을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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10
제 9항에 있어서,
(c) 단계의 상기 에미터층은 상기 금속전극과 접하는 에미터층의 제 1형 불순물 농도가 상기 금속전극 사이의 에미터층의 제 1형 불순물 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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11
제 9항에 있어서,
상기 제 1형 불순물은 n형 불순물이고, 상기 제 2형 불순물을 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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12
제 9항에 있어서,
상기 제 1형 불순물은 인(P)인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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13
제 9항에 있어서,
상기 (b) 단계의 기체는 POCl3를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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14
제 9항에 있어서,
상기 금속전극은 은을 함유하는 태양전지 전면전극인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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15
제 9항에 있어서,
상기 반사방지막은 질화규소막(SiNx)이며, 상기 반사방지막의 적층은 플라즈마-강화 CVD(Plasma Enhanced CVD)에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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16
삭제
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제 1항 내지 제 7항, 및 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따라 제조된 태양전지
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18
제 17항에 있어서,
상기 태양전지는 외부 배선과 연결되는 일부를 제외한 나머지 전면전극 상에 적층된 반사방지막을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
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19
제 18항에 있어서,
상기 반사방지막은 질화규소막인 것을 특징으로 하는 태양전지
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