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기판 상에 형성된 MgO층을 포함하는 하지층; 및상기 하지층 상에 형성된 자성체층을 포함하고,상기 자성체층은 수직한 방향으로 자기이방성을 가지고, Zr 및 Cu가 함유된 단위격자가 L10형 FCT 결정구조를 가지는 복수의 FePt 결정립들로 구성되며, 상기 FePt 결정립들은 MgO로 둘러싸인 형태인, 자기기록매체
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제 1 항에 있어서,상기 Cu는 상기 단위격자를 이루는 Fe 자리의 일부를 치환하며 배열되는, 자기기록매체
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제 5 항에 있어서,상기 Cu의 함량은 원자분률로 5 내지 15% 범위인, 자기기록매체
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제 1 항에 있어서,상기 MgO층은 NaCl 구조로서 (200) 우선방위를 가지는, 자기기록매체
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제 1 항에 있어서,상기 자성체층은 (001) 우선방위를 가지는, 자기기록매체
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제 8 항에 있어서,상기 (001) 우선방위의 우선방위계수는 0
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제 1 항에 있어서,상기 FePt 결정립들의 평균 크기는 12
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제 1 항에 있어서,상기 자성체층의 수직방향으로의 보자력이 500 Oe 이상 3000 Oe 이하의 범위인, 자기기록매체
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제 1 항에 있어서,상기 자성체층의 큐리온도가 605K 이하인, 자기기록매체
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 MgO층을 포함하는 하지층을 형성하는 단계;상기 하지층 상에 Fe, Pt, Zr 및 Cu를 포함하는 자성체층을 형성하는 단계; 및열처리를 수행하는 단계;를 포함하며,상기 열처리를 통해, 상기 자성체층은 수직한 방향으로 자기이방성을 가지고, Zr 및 Cu가 함유된 단위격자가 L10형 FCT 결정구조를 가지는 복수의 FePt 결정립들로 구성되며, 상기 FePt 결정립들은 MgO로 둘러싸인 형태를 가지는, 자기기록매체 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 자성체층을 형성하는 단계는 Fe, Pt, Zr 및 Cu를 포함하는 타겟을 이용한 스터퍼링법으로 형성하는, 자기기록매체 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 열처리는 500℃ 이상 650℃ 이하의 온도범위에서 수행되는, 자기기록매체 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 열처리의 수행시간은 5분 이상 30분 미만인, 자기기록매체 제조방법
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