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빛을 흡수하여 전기 에너지를 발생시키는 광전 변환층; 및상기 광전 변환층과 접촉하도록 형성되어 외부의 빛을 상기 광전 변환층으로 투과시키는 투명전극을 포함하고,상기 투명 전극은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 투명 재질의 절연물질로 형성된 것을 특징으로 하는 수광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되어 포밍(forming) 공정이 수행됨으로써, 내부에 전도성 필라멘트가 형성된 것을 특징으로 하는 수광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 수광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 광전 변환층과 상기 투명 전극 사이에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 형성되는 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극의 상기 광전 변환층이 접촉하는 면의 반대면에 접촉하고, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 형성되는 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수광소자
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환층의, 상기 투명 전극이 접촉하는 면의 반대면에 접촉하도록 형성되는 대향 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 광전 변환층은 제 1 반도체층, 활성층, 및 투명 전극과 접촉하는 제 2 반도체층이 순차적으로 형성되고, 상기 제 1 반도체층에는 제 1 전극 패드가 형성되고, 상기 투명 전극에는 제 2 전극 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 수광 소자
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빛을 흡수하여 전기 에너지를 발생시키는 광전 변환층과 접촉하는 투명 전극을 형성하되,상기 투명 전극은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수광소자 제조 방법
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9
제 8 항에 있어서,상기 투명 전극은 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되어 포밍(forming) 공정이 수행됨으로써, 내부에 전도성 필라멘트가 형성되는 것을 특징으로 하는 수광소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 수광소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 기판 위에 대향 전극을 형성하는 대향 전극 형성 단계;상기 대향 전극 위에 상기 광전 변환층을 형성하는 광전 변환층 형성 단계; 및상기 광전 변환층 위에 상기 투명 전극을 형성하고, 상기 투명 전극에 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 포밍 공정을 수행함으로써 저항상태를 저저항상태로 변화시키는 투명 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수광소자 제조 방법
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12
제 8 항에 있어서, 기판 위에 투명 전극을 형성하고, 상기 투명 전극에 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 포밍 공정을 수행함으로써 저항상태를 저저항상태로 변화시키는 투명 전극 형성 단계;상기 투명 전극 위에 상기 광전 변환층을 형성하는 광전 변환층 형성 단계; 및상기 광전 변환층 위에 대향 전극을 형성하는 대향 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수광소자 제조 방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 투명 전극 형성 단계에서, 상기 투명 전극의 상면 또는 하면에 접촉하도록, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 전류 확산층이 형성되는 것을 특징으로 하는 수광소자 제조 방법
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