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제 1 도전형 반도체층;상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층;상기 활성층에 접하며, 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 홈이 형성된 제 2 도전형 반도체층;상기 홈의 바닥에 형성된 전류 차단층;상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽과 상기 전류 차단층을 따라 형성된 투명 전도층;상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 반사층;상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 지지 기판; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면의, 상기 패터닝된 홈의 수직방향으로 대응되는 위치에 패터닝된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도층은 수평부와 수직부가 교대로 연결된 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 반사층은 상기 수평부에 접하는 평평부와, 상기 수평부와 수직부에 의해 형성되는 공간을 채우도록 상기 평평부로부터 돌출되는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도층은상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역;상기 홈의 측벽에 접하며, 상기 제 1 영역과 연결되는 제 2 영역; 및상기 전류 차단층과 접하며, 상기 제 1 영역과 평행하고 상기 제 2 영역과 연결되는 제 3 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도층은상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역;상기 홈의 측벽에 접하며, 상기 제 1 영역과 연결되는 제 2 영역;상기 전류 차단층과 접하며, 상기 제 1 영역과 평행하고 상기 제 2 영역과 연결되는 제 3 영역; 및상기 제 1 영역에 수직인 방향으로 상기 제 2 영역에서 상기 제 2 도전형 반도체 방향으로 연장되며 상기 전류 차단층의 양 측면과 접하는 제 4 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전류 차단층은 사각 단면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반사층과 상기 지지 기판 사이에 개재되는 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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8
제 1 항에 있어서, 상기 전류 차단층과 상기 전극은 동일한 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전류 차단층은 절연성 물질로 형성되거나, 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도층은 투명전도성 박막층인 인듐(In), 주석(Sn), 또는 아연(Zn) 금속을 모체로 하여 형성되는 투명 전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 n형이고, 상기 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 형성된 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 제 2 반도체층의 노출된 면에 패터닝된 홈을 형성하고 상기 홈의 바닥에 전류 차단층을 형성하는 전류 차단층 형성 단계; 및상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 내벽과 상기 전류 차단층을 따라 투명 전도층을 형성하는 투명 전도층 형성 단계;상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 반사층을 형성하는 반사층 형성 단계;상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 지지 기판을 형성하고 상기 기판을 제거하는 지지 기판 형성 및 기판 제거 단계; 및상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면의 상기 패터닝된 홈의 수직방향으로 대응되는 위치에 패터닝된 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 전류 차단층 형성 단계에서,상기 전류 차단층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 포토 레지스트 패턴을 배치시고, 상기 홈의 바닥에 절연 물질을 증착시키거나 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 전류 차단층 형성 단계에서,상기 전류 차단층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽에 포토 레지스트 패턴을 배치시키고, 상기 홈의 바닥에 절연 물질을 증착시키거나 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 반사층 형성 단계에서, 상기 반사층은 반사 물질을 상기 투명 전도층에 형성되는 공간을 채우도록 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 전극 형성 단계에서, 상기 전극은 상기 홈과 동일한 패턴을 가지도록 패터닝되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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