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초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015132627
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적으로 얇은 입자들을 기질 또는 지지대 위에 증착시킬 수 있고 또한 물리적 결합만으로도 높은 표면 범위(surface coverage)를 얻을 수 있어 이차 성장을 통해 재현성 있게 제올라이트와 같은 무기 재료 분리막을 제조하는데 큰 역할을 하는 균일한 층을 형성할 수 있는 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL B01J 29/06 (2006.01) B01J 20/18 (2006.01) C01B 39/02 (2006.01)
CPC C01B 39/02(2013.01) C01B 39/02(2013.01) C01B 39/02(2013.01) C01B 39/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140111055 (2014.08.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1499905-0000 (2015.03.02)
공개번호/일자 10-2014-0126275 (2014.10.30) 문서열기
공고번호/일자 (20150312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0044411 (2013.04.22)
관련 출원번호 1020130044411
심사청구여부/일자 Y (2014.08.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최정규 대한민국 서울특별시 성북구
2 김은주 대한민국 서울특별시 성북구
3 카이 완 중국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0807731-94
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0731480-60
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1265051-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048684-22
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0048683-87
6 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0092401-42
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
TMAdaOH(N,N,N-trimethyl-1-adamantanammonium hydroxide)과 에탄올을 테프론 비커에 넣고 탈이온수와 혼합하는 제1과정과,상기 제1과정의 혼합물에 테트라에틸 오르쏘실리케이트를 혼합하는 제2과정과,상기 제2과정의 혼합물에서 실리카(SiO2)에 대한 H2O의 몰 비율을 조절하기 위해 가열하여 분말을 제조하는 제3과정과,상기 제조된 분말을 미세하게 분쇄하여 전구체를 제조하는 제4과정과,상기 전구체에 불산을 한 방울씩 적하하여 합성 전구체를 제조하는 제5과정과,상기 합성 전구체를 12 내지 240시간 정도 150℃~190℃의 고온에서 가열 반응시켜 실리카 카바자이트(Si-CHA) 입자를 제조하는 제6과정을 포함하되,상기 합성 전구체의 몰 조성은 10 SiO2: 5 TMAdaOH: 5 HF: 10-30 H2O인 것을 특징으로 하는, 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자를 제조하는 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제5과정을 거친 합성 전구체를 균질화하기 위해 믹싱하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자를 제조하는 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제6과정의 가열반응은 155℃ 또는 190℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자를 제조하는 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제6과정을 거친 상기 카바자이트 입자를 하소시키는 제7과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자를 제조하는 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제7과정의 하소과정은 100~500 cc·min-1 공기 또는 산소의 흐름 하에서 0
8 8
제1항, 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자를 제조하는 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 Korea CCS 2020 사업 이산화탄소 선택적인 실리카 제올라이트 분리막 제조