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제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 제 2 도전형 반도체층 상에 형성된 금속/그래핀 투명전극; 및상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성된 제 1 전극;을 포함하는 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 금속/그래핀 투명전극은 금속층 상에 그래핀층이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2항에 있어서,상기 금속층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2항에 있어서,상기 금속층의 두께는 1 nm 내지 5 nm인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2항에 있어서,상기 그래핀층의 두께는 0
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6
제 1항에 있어서,상기 발광구조물은 제 1 기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층과 금속/그래핀 전극 사이에 반사층, 접착층 및 제 2 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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8
(a) 제 1 기판 상에 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;(b) 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 금속층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속층 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 및(d) 제 1 도전형 반도체층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법
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9
제 8항에 있어서,상기 (a) 단계와 (b)단계 사이에,상기 발광구조물의 일부를 에칭하여 제 1 도전형 반도체층을 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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10
제 8항에 있어서,상기 (a) 단계와 (b)단계 사이에,상기 제 2 도전형 반도체층 상에 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층 상에 접착층을 형성하는 단계;상기 접착층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 (b) 단계는 전자빔 증착(e-beam evaporation), 열증착(thermal evaporation) 및 스퍼터링 (sputtering)으로 이루어진 군에서 선택된 1 종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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12
제 8항에 있어서,상기 (c) 단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 발광소자를 구비하는 조명 장치
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 발광소자를 구비하는 디스플레이 장치
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