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Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자에 있어서,상기 반도체 소자의 n형 질화물계 클래드층 상에 레이저 조사에 의해 n형 질화물계 클래드층의 질소로부터 형성된 질화물층이 형성된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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전극구조체;레이저 조사에 의해 n형 질화물계 클래드층의 질소로부터 형성된 질화물층;n형 질화물계 클래드층;질화물계 활성층;금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층; 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체; 및지지기판이 적층된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제4항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제4항에 있어서,상기 n형 질화물계 클래드층 및 p형 질화물계 클래드층은 각각 n-GaN 및 p-GaN 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제4항에 있어서,상기 질화물계 활성층은 단일 양자우물(Quantum Well) 구조 또는 다중 양자우물 구조인 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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성장기판에 순차적으로 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 및 금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층을 성장시키는 단계;상기 p형 질화물계 클래드층 상면에 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체를 형성시키는 단계;지지기판을 상기 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체 상면에 형성시키는 단계; 상기 성장기판을 분리 제거시키는 단계; 상기 n형 질화물계 클래드층의 상면에 전극구조체를 형성시키는 단계; 및상기 전극구조체에 레이저 조사하는 단계;를 포함하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 레이저 조사는 공기, 질소, 아르곤, 및 진공 분위기 중 어느 하나에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 레이저 조사 에너지는 300 내지 900 mJ/cm2 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 전극구조체에는 Pt, Ti, Mo, W, 및 TiN으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 배리어물질이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 성장기판을 분리 제거시키는 단계 후에, 상기 n형 질화물계 클래드층에 패턴을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 n형 질화물계 클래드층 및 p형 질화물계 클래드층은 각각 n-GaN 및 p-GaN 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 질화물계 활성층은 단일 양자우물(Quantum Well) 구조 또는 다중 양자우물 구조인 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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