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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서,기판의 상부에 형성되는 N형 드리프트 영역 내 적어도 하나의 플로팅 아일랜드(Floating Island) 구조를 갖는 P층이 형성되는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서,기판;상기 기판의 상부에 에피택시 공정을 통해 형성되는 N형 드리프트영역;상기 N형 드리프트영역의 상부에 에미터와 게이트를 포함하도록 형성되는 상부단자; 및상기 기판의 하부에 컬렉터를 포함하도록 형성되는 하부단자;를 포함하되,상기 N형 드리프트영역은 내부에 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층이 형성되는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서,상부에 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층이 형성되는 기판;상기 기판의 상부에 에피택시 공정을 통해 형성되는 N형 드리프트영역;상기 N형 드리프트영역의 상부에 에미터와 게이트를 포함하도록 형성되는 상부단자; 및상기 기판의 하부를 CMP공정을 통해 연마한 후, 연마된 상기 기판의 하부에 컬렉터를 포함하도록 형성되는 하부단자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서,적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층이 상부에 형성되는 제1기판;상기 제1기판의 상부에 웨이퍼본딩되는 제2기판;상기 제2기판의 상부를 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 통해 연마한 후, 연마된 상기 제2기판의 상부에 에미터와 게이트를 포함하도록 형성되는 상부단자; 및상기 제1기판의 하부를 CMP공정을 통해 연마한 후, 연마된 상기 제1기판의 하부에 컬렉터를 포함하도록 형성되는 하부단자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판은 동일한 도핑농도를 갖는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서,기판을 준비하는 기판준비단계;상기 기판의 상부에 에피택시 공정을 통해 N형 드리프트영역을 성장하는 성장단계;상기 N형 드리프트영역의 상부에 리소그래피 공정을 통해 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층을 형성하는 FLI형성단계;상기 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층이 형성된 N형 드리프트영역의 상부로 에피택시 공정을 통해 N형 드리프트영역을 재성장하는 재성장단계; 및재성장된 N형 드리프트영역의 상부로 에미터와 게이트를 포함하는 상부단자 및 상기 기판의 하부에 컬렉터를 포함하는 하부단자를 형성하는 단자형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서,기판을 준비하는 준비단계;상기 기판의 상부에 리소그래피 공정을 통해 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층을 형성하는 FLI형성단계;상기 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층이 형성된 상기 기판의 상부에 에피택시 공정을 통해 N형 드리프트영역을 성장하는 성장단계; 및 성장된 N형 드리프트영역의 상부로 에미터와 게이트를 포함하는 상부단자 및 상기 기판의 하부에 컬렉터를 포함하는 하부단자를 형성하는 단자형성단계;를 포함하되,상기 단자형성단계는상기 기판의 하부를 CMP공정을 통해 연마한 후, 연마된 상기 기판의 하부에 컬렉터를 포함하도록 하부단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서,제1기판의 상부에 적어도 하나의 플로팅 아일랜드 구조를 갖는 P층을 형성하는 FLI형성단계;상기 제1기판의 상부에 제2기판을 웨이퍼 본딩 공정을 통해 본딩하는 웨이퍼본딩단계;상기 제2기판의 상부를 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 통해 연마한 후, 에미터와 게이트를 포함하는 상부단자를 형성하는 상부단자형성단계;상기 제1기판의 하부를 CMP공정을 통해 연마한 후, 컬렉터를 포함하는 하부단자를 형성하는 하부단자형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판은 동일한 도핑농도를 갖는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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