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인듐포스파이드 양자점의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132769
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 독성이 낮은 인의 선구 물질을 사용하여, 안전하면서도 낮은 온도의 반응으로 결정성이 높은 인듐포스파이드를 형성할 수 있는 나노 재료인, 인듐포스파이드 양자점의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01) C09K 11/70 (2006.01)
CPC C09K 11/04(2013.01) C09K 11/04(2013.01) C09K 11/04(2013.01) C09K 11/04(2013.01) C09K 11/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110040981 (2011.04.29)
출원인 고려대학교 산학협력단, 주식회사 세종소재
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0122679 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 세종소재 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 우성란 대한민국 서울특별시 중구
3 하호 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0321612-90
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0356724-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0033642-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0660050-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0667834-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0013762-18
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0376622-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006993-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5209322-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
톨루엔 용매 하에서, 인듐화합물, 트리스-다이메틸아미노포스핀 및 도데실아민을 혼합한 후, 가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 인듐화합물은 인듐할라이드, 인듐나이트레이트, 인듐아세테이트 및 인듐하이드록사이드로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 인듐화합물, 트리스-다이메틸아미노포스핀 및 도데실아민은 1: 1 ~ 3 : 10 ~ 20의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 가열은 150 내지 200℃의 온도 조건에서 10 내지 40 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 인듐포스파이드 양자점의 직경은 2 nm 내지 9 nm인 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 혼합단계는 인듐화합물, 트리스-다이메틸아미노포스핀 및 도데실아민을 60 내지 80℃에서 용해시키는 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 가열 단계 이후, 상온에서 서서히 식힌 후, 얻어지는 반응물을 톨루엔, 메탄올 또는 그들의 혼합물로 세척하여 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐포스파이드 양자점 제조방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 7에 의해 제조된 직경 2 nm 내지 9 nm의 인듐포스파이드 양자점
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 고려대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 Development of hign-performance theromoelectriic composites and sputtering targets by SPS(2010-BS-101002-001)