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고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015132781
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극 소성 공정시 에미터 또는 전면전계 및 후면전계를 동시 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 p-n 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020110069601 (2011.07.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0008913 (2013.01.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130050291;
심사청구여부/일자 Y (2011.07.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 서초구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 박효민 대한민국 서울특별시 성북구
4 김영도 대한민국 서울특별시 서초구
5 박성은 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0539370-36
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0485567-15
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0852685-56
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0852658-23
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0107774-28
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.03.20 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0241948-39
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0241971-80
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0231137-96
9 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0231138-31
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0394791-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 기판 전면에 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물이 도핑된 비정질 층을 증착하는 단계;상기 불순물이 도핑된 비정질 층 상에 반사방지막을 증착하는 단계;상기 반사방지막 상 및 실리콘 기판 후면에 금속 페이스트를 인쇄하는 단계; 및 상기 결과물을 동시에 소성하는 단계;를 포함하며, PGS(PhosphoSilicate Glass) 제거 및 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정이 제거된 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 비정질 층에 도핑된 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물의 농도는 1018 cm-3 내지 1021 cm-3인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 결정질 기판 전면에 증착된 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물이 도핑된 비정질 층은 0
5 5
제 1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판 전면에 에미터 또는 전면전계로 작용하는 불순물이 도핑된 비정질 층을 증착하는 단계는 PECVD법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 반사방지막은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 금속 페이스트는 은(Ag) 페이스트 또는 알루미늄(Al) 페이스트인 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 결과물을 동시에 소성하는 단계는 600 내지 750℃의 온도에서 수행함으로써, 결정질 실리콘 기판 전면의 도핑층 및 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법
9 9
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 고상성장을 이용한 태양전지 도핑층 형성방법으로 제조된 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101300803 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국에너지기술평가원 고려대학교 산학협력단 지식경제기술혁신사업 고효율 결정질 실리콘 태양전지