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반도체 메모리 장치를 포함하고, 상기 반도체 메모리 장치는,모드 신호에 따라 제 1 라이트 데이터 코드 및 제 1 라이트 보정 코드 또는 제 1 리드 데이터 코드 및 제 1 리드 보정 코드를 각각 입력 데이터 코드 및 입력 보정 코드로서 출력하는 선택부;상기 선택부로부터 입력된 상기 입력 보정 코드를 디코딩하고, 디코딩 결과에 따라 상기 입력 데이터 코드의 에러를 보정하여 출력 데이터 코드를 생성하고, 상기 출력 데이터 코드를 인코딩하여 출력 보정 코드를 생성하여 출력하는 에러 처리부;상기 에러 처리부로부터 입력된 상기 출력 데이터 코드 및 상기 출력 보정 코드를 상기 모드 신호에 따라 제 2 라이트 데이터 코드 및 제 2 라이트 보정 코드 또는 제 2 리드 데이터 코드 및 제 2 리드 보정 코드로서 출력하는 분배부; 및상기 모드 신호에 따라 상기 분배부로부터 입력된 상기 제 2 라이트 데이터 코드 및 상기 제 2 라이트 보정 코드를 내부에 저장하거나, 상기 내부에 저장된 값을 상기 제 1 리드 데이터 코드 및 상기 제 1 리드 보정 코드로서 상기 선택부로 출력하는 저장부를 포함하는 반도체 시스템
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2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치를 제어하기 위한 컨트롤러; 및상기 컨트롤러 및 상기 반도체 메모리 간 통신을 위한 버스를 더 포함하는 반도체 시스템
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제 2 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 제 1 라이트 데이터 코드를 인코딩하여 상기 제 1 라이트 보정 코드를 생성하고 상기 버스로 출력하는 에러 보정 회로를 더 포함하고, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 버스를 통해 상기 제 1 라이트 데이터 코드 및 상기 제 1 라이트 보정 코드를 수신하는 반도체 시스템
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4
제 2 항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 제 2 리드 데이터 코드 및 상기 제 2 리드 보정 코드를 상기 버스로 출력하고,상기 컨트롤러는 상기 버스를 통해 상기 제 2 리드 데이터 코드 및 상기 제 2 리드 보정 코드를 수신하고, 상기 제 2 리드 보정 코드를 디코딩하며, 디코딩 결과에 따라 상기 제 2 리드 데이터 코드의 에러를 보정하는 에러 보정 회로를 더 포함하는 반도체 시스템
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5
제 1 항에 있어서, 상기 모드 신호는 라이트 모드 또는 리드 모드를 나타내고,상기 모드 신호가 상기 라이트 모드를 나타내는 경우,상기 선택부는 상기 제 1 라이트 데이터 코드 및 상기 제 1 라이트 보정 코드를 각각 상기 입력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드로서 출력하고, 상기 분배부는 상기 출력 데이터 코드 및 상기 출력 보정 코드를 상기 제 2 라이트 데이터 코드 및 상기 제 2 라이트 보정 코드로서 출력하는 반도체 시스템
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6
제 1 항에 있어서, 상기 모드 신호는 라이트 모드 또는 리드 모드를 나타내고,상기 모드 신호가 상기 리드 모드를 나타내는 경우,상기 선택부는 상기 제 1 리드 데이터 코드 및 상기 제 1 리드 보정 코드를 각각 상기 입력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드로서 출력하고, 상기 분배부는 상기 출력 데이터 코드 및 상기 출력 보정 코드를 상기 제 2 리드 데이터 코드 및 상기 제 2 리드 보정 코드로서 출력하는 반도체 시스템
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7
반도체 메모리 장치를 포함하고, 상기 반도체 메모리 장치는,모드 신호에 따라 제 1 라이트 데이터 코드 및 제 1 라이트 보정 코드 또는 제 1 리드 데이터 코드 및 제 1 리드 보정 코드를 각각 입력 데이터 코드 및 입력 보정 코드로서 출력하는 선택부;상기 선택부로부터 입력된 상기 입력 보정 코드를 디코딩하고, 디코딩 결과에 따라 상기 입력 데이터 코드의 에러를 보정하여 출력 데이터 코드를 생성하여 출력하는 에러 보정부;상기 에러 보정부로부터 입력된 상기 출력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드를 상기 모드 신호에 따라 제 2 라이트 데이터 코드 및 제 2 라이트 보정 코드 또는 제 2 리드 데이터 코드 및 제 2 리드 보정 코드로서 출력하는 분배부; 및상기 모드 신호에 따라 상기 분배부로부터 입력된 상기 제 2 라이트 데이터 코드 및 상기 제 2 라이트 보정 코드를 내부에 저장하거나, 상기 내부에 저장된 값을 상기 제 1 리드 데이터 코드 및 상기 제 1 리드 보정 코드로서 상기 선택부로 출력하는 저장부를 포함하는 반도체 시스템
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8
제 7 항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치를 제어하기 위한 컨트롤러; 및상기 컨트롤러 및 상기 반도체 메모리 간 통신을 위한 버스를 더 포함하는 반도체 시스템
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9
제 8 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 제 1 라이트 데이터 코드를 인코딩하여 상기 제 1 라이트 보정 코드를 생성하고 상기 버스로 출력하는 컨트롤러 측 에러 처리 회로를 더 포함하고, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 버스를 통해 상기 제 1 라이트 데이터 코드 및 상기 제 1 라이트 보정 코드를 수신하는 반도체 시스템
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10
제 8 항에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 제 2 리드 데이터 코드 및 상기 제 2 리드 보정 코드를 상기 버스로 출력하고,상기 컨트롤러는 상기 버스를 통해 상기 제 2 리드 데이터 코드 및 상기 제 2 리드 보정 코드를 수신하고, 상기 제 2 리드 보정 코드를 디코딩하며, 디코딩 결과에 따라 상기 제 2 리드 데이터 코드의 에러를 보정하는 컨트롤러 측 에러 처리 회로를 더 포함하는 반도체 시스템
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11
제 7 항에 있어서, 상기 모드 신호는 라이트 모드 또는 리드 모드를 나타내고,상기 모드 신호가 상기 라이트 모드를 나타내는 경우,상기 선택부는 상기 제 1 라이트 데이터 코드 및 상기 제 1 라이트 보정 코드를 각각 상기 입력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드로서 출력하고, 상기 분배부는 상기 출력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드를 상기 제 2 라이트 데이터 코드 및 상기 제 2 라이트 보정 코드로서 출력하는 반도체 시스템
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12
제 7 항에 있어서, 상기 모드 신호는 라이트 모드 또는 리드 모드를 나타내고,상기 모드 신호가 상기 리드 모드를 나타내는 경우,상기 선택부는 상기 제 1 리드 데이터 코드 및 상기 제 1 리드 보정 코드를 각각 상기 입력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드로서 출력하고, 상기 분배부는 상기 출력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드를 상기 제 2 리드 데이터 코드 및 상기 제 2 리드 보정 코드로서 출력하는 반도체 시스템
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제 7 항에 있어서, 상기 에러 보정부는, 상기 입력 데이터 코드 및 상기 입력 보정 코드를 수신하여 신드롬을 생성하는 신드롬 생성부;상기 신드롬을 이용하여 상기 입력 데이터 코드의 에러 발생 여부를 판단하고, 인에이블 신호로서 출력하는 에러 감지부;상기 인에이블 신호에 응답하여, 상기 신드롬을 이용하여 상기 입력 데이터 코드에서 에러가 발생한 위치를 나타내는 에러 위치 신호를 생성하는 에러 위치 판단부;상기 인에이블 신호에 응답하여, 상기 에러 위치 신호를 이용하여 상기 입력 데이터 코드의 에러를 보정하는 보정부를 포함하는 반도체 시스템
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제 13 항에 있어서,상기 에러 위치 판단부 및 상기 보정부는 상기 인에이블 신호가 비활성화되면 비활성화되는 반도체 시스템
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