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스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및 고주파 자기장 생성 소자
- 기술번호 : KST2015132899
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 및 고주파 자기장 생성 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 고정 자성층 / 비자성층 / 자유 자성층 / 비자성층 / 감지 자성층 / 반강자성층으로 구성된 구조이며, 상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질로 이루어진 제 2 박막을 포함하고, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고 상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 보다 높은 전류에서도 자화회전이 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 고주파 소자는 고주파 교류신호를 생성할 수 있으므로, 이러한 고주파 영역에서 구동되는 Resonator, Oscillator, Band-path filter 등의 소자의 개발에 따라 기존 소자에 비해 보다 많은 정보를 빠른 시간에 전송 및 처리할 수 있으므로, 소자의 효율성을 증대시킬 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01F 13/00 (2006.01) H03B 15/00 (2014.01) H01F 10/32 (2006.01) |
| CPC | H01F 10/08(2013.01) H01F 10/08(2013.01) H01F 10/08(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110031858 (2011.04.06) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1368298-0000 (2014.02.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0058750 (2011.06.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140303) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | 10-2008-0045180 (2008.05.15) |
| 관련 출원번호 | 1020080045180 |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.04.17) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이경진 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 2 | 서수만 | 대한민국 | 서울특별시 강북구 |
| 3 | 이현우 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 4 | 정순욱 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2011.04.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0251043-45 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.04.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0032416-39 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.04.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0289513-26 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0333406-96 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0429317-40 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0771654-53 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0856158-34 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0959883-55 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.11.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1064027-86 |
| 10 | 지정기간연장관련안내서 Notification for Extension of Designated Period |
2013.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0149435-86 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.12.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1123169-78 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1123162-59 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.02.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0108868-24 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 고정 자성층, 제 1 비자성층, 자유 자성층, 제 2 비자성층, 감지 자성층, 반강자성층을 포함하는 구조이며,상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질을 포함하는 제 2 박막을 포함하며, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 상기 자유 자성층은 연속적으로 회전하는 방향의 자화 특성을 가지며,상기 제 2 박막은 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 가지거나 또는 상기 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양측면 상에 적층된 구조를 가지며,상기 제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 |
| 2 |
2 고정 자성층, 비자성층, 자유 자성층을 포함하는 구조이며,상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막, 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질을 포함하는 제 2 박막을 포함하며, 상기 고정 자성층은 박막에 대하여 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 상기 자유 자성층은 연속적으로 회전하는 방향의 자화 특성을 가지며,상기 제 2 박막은 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 가지거나 또는 상기 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양측면 상에 적층된 구조를 가지며,상기 제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성 소자 |
| 3 |
3 제 1 고정 자성층, 자유 자성층, 제 2 고정 자성층을 포함하는 구조이며,상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질을 포함하는 제 2 박막을 포함하며, 제 1 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고제 2 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며,상기 자유 자성층은 연속적으로 회전하는 방향의 자화 특성을 가지며,상기 제 2 박막은 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 가지거나 또는 상기 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양측면 상에 적층된 구조를 가지며,상기 제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서,상기 고정 자성층은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막(n≥1)이며, 여기에서 X 및 Y는 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 5 |
5 제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 고정 자성층은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막(n≥1)이며, 여기에서 X 및 Y는 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,상기 감지 자성층은 제 1 자성층, 비자성층, 제 2 자성층을 포함하고, 제 1 자성층과 제 2 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지고, 상기 감지 자성층의 비자성층은 Ru, Cu, Al, Ta, Au, Ag 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,제 1 물질은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 8 |
8 제 2항 또는 제 3항에 있어서,제 1 물질은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서,제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 CoFe, α-FeC, MnSb, CoIr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 |
| 10 |
10 제 2항 또는 제 3항에 있어서,제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 CoFe, α-FeC, MnSb, CoIr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성 소자 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서,상기 반강자성층은 Ir, Pt, Mn 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 |
| 12 |
12 제 3항에 있어서,제 1 고정 자성층의 자기이방성자계 Hk1는 제 2 고정자성층의 자기이방성자계 Hk2와 상이한 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성 소자 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,고주파 마이크로 웨이브 생성 소자의 면내 모양은 원형인 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 |
| 14 |
14 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 고주파 자기장 생성 소자의 면내 모양은 원형인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성 소자 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,제 1 비자성층과 제 2 비자성층은 Ru, Cu, Al, Ta, Au, Ag, AlOx, MgO, TaOx, ZrOx 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 제 1 비자성층과 제 2 비자성층은 서로 상이한 물질인 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 17 |
17 제 1항에 있어서,상기 자유 자성층은 제 2 박막이 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 18 |
18 제 1항에 있어서,상기 자유 자성층은 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양 측면 상에 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자 |
| 19 |
19 제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 자유 자성층은 제 2 박막이 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자 |
| 20 |
20 제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 자유 자성층은 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양 측면 상에 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR101114281 | KR | 대한민국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1368298-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110406 출원 번호 : 1020110031858 공고 연월일 : 20140303 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140214 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01F 10/32 발명의 명칭 : 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및 고주파 자기장 생성 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2014년 02월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 01월 09일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2018년 01월 08일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2019년 02월 11일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 430,000 원 | 2020년 01월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 | 2011.04.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0251043-45 |
| 2 | 보정요구서 | 2011.04.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0032416-39 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.04.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0289513-26 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0333406-96 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2013.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0429317-40 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0771654-53 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0856158-34 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0959883-55 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.11.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1064027-86 |
| 10 | 지정기간연장관련안내서 | 2013.11.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0149435-86 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.12.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1123169-78 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1123162-59 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 14 | 등록결정서 | 2014.02.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0108868-24 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345161991 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2001 |
| 연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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