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고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132911
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 전기적/광학적 특성 향상을 위한 무분극 질화갈륨계 발광 소자는, Mg 도핑된 p타입 GaN MQB를 갖는 활성층 구조를 형성하고, Mg 도핑된 p타입 GaN 클래딩 층을 활성층의 상, 하부에 배치하는 구성으로 인해, 캐리어 주입 효율 및 재결합 효율을 향상시켜, 무분극 질화갈륨계 발광 소자의 전기적/광학적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/025(2013.01) H01L 33/025(2013.01) H01L 33/025(2013.01)
출원번호/일자 1020110033334 (2011.04.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1238878-0000 (2013.02.25)
공개번호/일자 10-2012-0115802 (2012.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김동호 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0263744-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0027959-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0429555-65
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0778736-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0778749-65
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0121740-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n타입으로 도핑된 제 1 질화물 반도체 층;상기 제 1 질화물 반도체 층 위에 형성되고, p타입으로 도핑된 제 1 클래딩층;상기 제 1 클래딩층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성되고, p타입으로 도핑된 제 2 클래딩층; 및 상기 제 2 클래딩층 위에 형성되고, p타입으로 도핑된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함하고,상기 활성층은, 양자 우물층 및 양자 장벽층을 서로 교차하며 복수층으로 형성하는 구조를 포함하고, 상기 양자 장벽층은 p타입으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자
2 2
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5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 클래딩층, 상기 제 2 클래딩층, 및 상기 양자 장벽층은 Mg로 도핑된 것을 특징으로 하는 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자
6 6
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7 7
제 5 항에 있어서, 상기 Mg는, 1×1017 내지 1×1018cm-3의 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자
8 8
(a) n타입으로 도핑된 제 1 질화물 반도체층 위에, p타입으로 도핑된 제 1 클래딩층을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1 클래딩층 위에 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 활성층위에 p타입으로 도핑된 제 2 클래딩층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 제 2 클래딩층 위에 p타입으로 도핑된 제 2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계에서는,(b-1) 상기 제 1 클래딩층 위에 양자 우물층을 형성하는 단계,(b-2) 상기 양자 우물층 위에 p타입으로 도핑된 양자 장벽층을 형성하고, 상기 양자 장벽층 위에 상기 양자 우물층을 형성하는 단계, 및(b-3) 상기 (b-2) 단계를 복수로 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법
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10 10
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11 11
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12 12
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 클래딩층, 상기 제 2 클래딩층, 및 상기 양자 장벽층은 Mg로 도핑되는 것을 특징으로 하는 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법
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14 14
제 12 항에 있어서, 상기 Mg는, 1×1017 내지 1×1018cm-3의 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 고효율 무분극 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.