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전류 공급 장치에 있어서,전원 전압과 입력 전압 차에 따른 출력 전압을 출력하는 전압 레귤레이터;상기 전압 레귤레이터의 출력단과 접지 사이에 병렬 연결된 복수의 스위칭 소자를 포함하는 출력 저항;상기 출력 저항에 영향을 미치는 환경 변화에 기인하여 상기 복수의 스위칭 소자에 대한 구동 제어 신호를 생성 및 출력하되, 입력 신호가 복수의 지연 소자를 통해 출력되는 출력 신호의 위상 변화에 기초하여 상기 복수의 스위칭 소자 중 어느 하나의 스위칭 소자를 턴온(turn-on)시키는 상기 구동 제어 신호를 생성하는 환경 변화 검출기; 상기 환경 변화 검출기의 출력단과 상기 출력 저항의 구동 제어단 사이에 연결되어, 상기 출력 신호가 기설정된 횟수 이상 동일한 값으로 출력되는 경우 상기 출력 신호를 유효 신호로 설정하여 출력하는 출력 확인 처리기; 및상기 환경 변화 검출기의 출력단과 상기 스위칭 소자의 구동 제어단 사이에 일단이 연결되고 타단이 접지되는 기설정된 커패시턴스를 갖는 커패시터를 포함하는 전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 스위칭 소자는,각각 상이한 저항 값을 가지되, 상기 저항 값이 순차적으로 증가 또는 감소되는 순서로 병렬 연결되는 것인 전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,상기 출력 확인 처리기는,상기 스위칭 소자 별로 대응되는 상기 구동 제어 신호를 지연시키는 직렬 접속된 복수의 지연 소자; 및상기 지연 소자 중 최종단의 출력 신호를 데이터 신호로서 수신하고, 상기 구동 제어 신호의 위상이 동일 위상으로 기설정된 횟수 이상 반복될 경우 발생되는 클록 신호를 수신하여 유효 구동 제어 신호를 출력하는 복수의 플립플롭을 포함하는 전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,상기 환경 변화 검출기는,상기 입력 신호를 지연시키는 직렬 접속된 복수의 지연 소자를 포함하는 지연 라인;상기 입력 신호를 반전시킨 신호를 클록 신호로서 수신하고, 상기 각 지연 소자의 출력을 반전시킨 신호를 데이터 신호로서 수신하는 복수의 플립플롭을 포함하는 양자화기; 및상기 양자화기의 출력 비트의 값이 기설정된 위상으로 천이되는 지점을 식별하는 복수의 식별 소자를 포함하는 식별부를 포함하는 전류 공급 장치
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제 5 항에 있어서,상기 식별 소자는,상기 출력 비트 중 연속하는 세 개의 출력 비트의 값을 데이터 신호로서 수신하여 하나의 구동 제어 신호를 출력하는 복수의 앤드 게이트(AND gates) 회로를 포함하는 것인 전류 공급 장치
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제 5 항에 있어서,상기 식별부는,상기 식별된 지점을 식별한 식별 소자에 대응하여 연결된 상기 출력 저항을 동작하도록 선택하는 상기 구동 제어 신호를 출력하는 전류 공급 장치
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제 5 항에 있어서,상기 환경 변화 검출기는,상기 지연 라인의 입력단의 전단에 구성되어, 상기 입력 신호의 소스 동작 주파수를 기설정된 비율로 분주하는 분주기를 더 포함하되,상기 기설정된 비율은 상기 소스 동작 주파수보다 짧은 주파수가 생성되도록 하는 것인 전류 공급 장치
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제 5 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터이며,상기 지연 소자는,상기 입력 신호가 게이트에 인가되고, 드레인에 전원 전압이 인가되는 PMOS 트랜지스터;상기 입력 신호가 게이트에 인가되고, 드레인이 접지되며, 소스가 상기 PMOS 트랜지스터의 소스와 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터;상기 입력 신호가 드레인에 인가되고, 상기 전원 전압이 게이트에 인가되는 제 2 NMOS 트랜지스터;상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 소스와 상기 PMOS 트랜지스터의 소스의 접점에 게이트가 연결되고, 상기 전원 전압이 드레인에 인가되는 제 3 NNOS 트랜지스터; 및상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 소스에 게이트가 연결되고, 드레인이 상기 제 3 NNOS 트랜지스터의 소스와 연결되며, 소스가 접지된 제 4 NMOS 트랜지스터를 포함하되,상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 소스와 상기 제 4 NMOS 트랜지스터의 드레인의 접점에서 출력 신호가 출력되는 전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,상기 환경 변화는,공정 속도, 전원 전압 크기 및 온도 중 적어도 하나를 변수로 포함하는 것인 전류 공급 장치
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