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기판 상에 유기 또는 무기 박막을 형성하는 단계;상기 유기 또는 무기 박막 상에 패터닝된 나노선을 전이하는 단계;상기 나노선의 양 끝단에 금속을 형성하는 단계;상기 금속 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 및상기 나노선의 하부에 위치하는 유기 또는 무기 박막을 반응 가스 또는 식각액으로 식각하여 떠있는 나노선을 형성하는 단계를 포함하고,상기 반응 가스 또는 식각액은 상기 유기 또는 무기 박막만을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 유기 박막은 폴리비닐 피롤리돈, 폴리메타크릴레이트 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 무기 박막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 산화알루미늄막 및 이들의 이중막으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노선은 ZnO, SnO2, In2O3, Ga2O3, CuO, TiO2, VO2, MoO3, NiO, SrTiO3, Fe2O3, WO3, Au, Cu, Ag 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반응 가스는 산소 플라즈마 가스인 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 식각액은 불산, BOE(Buffered Oxide Etchant) 및 알칼리성 아미노프록시트리에톡시실레인(APTES) 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
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