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질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132976
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광소자의 광 추출 효율 향상과 질화물 에피층 성장 시 발생하는 관통 전위 결함의 밀도를 줄일 수 있도록 패터닝된 사파이어 기판으로 제조된 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 광 추출 효율이 우수하고 을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 패턴 사파이어 기판에서 좋은 품위의 질화물을 얻을 수 있도록 만드는 돌출부 측면에서 발생하는 ELOG와 함몰부 측면에서 발생하는 Pendeo가 더해져 관통 전위 밀도를 보다 효율적으로 낮출 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110133910 (2011.12.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1262953-0000 (2013.05.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 배꽃나라 대한민국 경기도 의왕시
3 송준혁 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0990650-27
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0681856-47
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0030582-39
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0030673-96
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0289853-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제 1도전층, 활성층, 제 2도전층을 포함하는 질화물 반도체층이 위치하고, 제 1도전층 위에는 제1 전극이 형성되고, 제 2도전층 위에는 제 2전극이 형성되는 질화물 반도체 발광소자에 있어서,상기 제 1 도전층과 접하는 기판의 표면이 나타내는 평면상에, 꼭지점과 세변을 공유하는 가상의 정삼각형의 반복 패턴이 존재하는 것으로 볼 때, 상기 정삼각형의 꼭지점을 중앙으로 하는 원형의 돌출부와, 상기 정삼각형의 무게중심을 중앙으로 하는 원형의 함몰부로 구성되고, 상기 돌출부와 함몰부는 서로 중첩되지 않으며, 상기 돌출부와 함몰부는 상기 평면에 수직인 축에 대해 곡률을 가지는 형상인 반복 패턴을 갖는 질화물계 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, GaAs, InP, Si, SiC, 스피넬, GaN으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 질화물계 반도체 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어인 질화물계 반도체 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 질화물은 GaN, AlGaN, GaInN, InGaAIN 로 이루어진 군에서 선택된 하나인 반도체 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 질화물은 GaN인 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.