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시편을 주사할 수 있는 첨단을 갖는 탐침;상기 탐침 첨단이 활성모드로 구동될 수 있도록 상기 탐침 첨단을 가열하는 구동 전원부;상기 탐침 첨단이 상기 시편에 접촉된 상태인 접촉모드 및 상기 시편으로부터 유격된 상태인 비접촉모드로 각각 구동될 수 있도록 상기 탐침 첨단 높이 위치를 제어하는 구동 기구부;상기 탐침 첨단이 활성모드 또는 비 활성모드로 구동되어 접촉모드, 비접촉모드에서 각각 시편을 주사할 수 있도록 상기 구동 전원부 및 상기 구동 기구부를 제어하는 제어부;상기 시편의 주사로 인해 상기 탐침 첨단에 생성된 열전전압으로부터 상기 시편의 온도를 계측하는 시편 온도 계측부;를 포함하는 주사탐침열현미경으로서,상기 시편의 접촉모드에서 계측된 온도와 상기 시편의 비접촉모드에서 계측된 온도로부터 선형 외삽법에 의해 상기의 시편의 정량적 온도를 획득하는 온도 프로파일링부를 더 포함하고,상기 선형 외삽법에 의한 수학식은 다음과 같으며,x는 탐침 첨단에 의해 주사되는 시편의 소정 위치, Ts는 시편의 정량적 온도, Tc1은 비활성모드 구동인 제1온도 구동시 시편의 접촉모드 온도, Tc2은 활성모드구동인 제2온도 구동시 시편의 접촉모드 온도, Tj1은 제1온도 구동시 시편의 접촉모드 온도와 시편의 비접촉모드 온도의 차이, Tj2는 제2온도 구동시 시편의 접촉모드 온도와 시편의 비접촉모드 온도의 차이인 것을 특징으로 하는 주사탐침열현미경
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청구항 1에 있어서, 상기 탐침 첨단은 열전쌍 방식으로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사탐침열현미경
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청구항 1에 있어서, 상기 구동 전원부는 상기 탐침 첨단을 교류 전원을 가열할 수 있도록 교류 전원 구동방식으로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사탐침열현미경
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청구항 1에 있어서, 상기 시편 온도 계측부는 휘트스톤 브리지 회로 방식으로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사탐침열현미경
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제1온도로 구동되는 탐침 첨단이 시편에 접촉된 상태와 상기 시편에서 소정 높이 유격된 상태에서 각각, 상기 시편을 주사하여 상기 시편의 접촉모드 온도와 상기 시편의 비접촉모드 온도를 계측하는 단계와;상기 제1온도와 다른 제2온도로 구동되는 탐침 첨단이 상기 시편의 제1온도시와 동일한 위치에 접촉된 상태와 상기 시편에서 소정 높이 유격된 상태에서 각각, 상기 시편을 주사하여 상기 시편의 접촉모드 온도와 상기 시편의 비접촉모드 온도를 계측하는 단계와;상기 계측한 시편의 접촉모드 온도와 상기 시편의 비접촉모드 온도로부터 선형 외삽법에 의해 상기의 시편의 정량적 온도를 획득하는 단계;를 포함하는 주사탐침열현미경을 이용한 온도 프로파일링 방법으로서,상기 선형 외삽법에 의한 수학식은 다음과 같으며,x는 탐침 첨단에 의해 주사되는 시편의 소정 위치, Ts는 시편의 정량적 온도, Tc1은 제1온도 구동시 시편의 접촉모드 온도, Tc2은 제2온도 구동시 시편의 접촉모드 온도, Tj1은 제1온도 구동시 시편의 접촉모드 온도와 시편의 비접촉모드 온도의 차이, Tj2는 제2온도 구동시 시편의 접촉모드 온도와 시편의 비접촉모드 온도의 차이인 것을 특징으로 하는 주사탐침열현미경을 이용한 온도 프로파일링 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 제1온도 구동은 상기 탐침 첨단을 가열하지 않는 비활성모드 구동이며, 상기 제2온도 구동은 상기 탐침 첨단을 상기 탐침의 열시상수보다 높은 주파수의 교류 전원으로 가열하는 활성모드 구동인 것을 특징으로 하는 주사탐침열현미경을 이용한 온도 프로파일링 방법
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