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확산방지층을 가지는 ＣｄＴｅ 박막 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133052
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후면전극 물질의 확산을 방지하는 확산방지층을 가지는 CdTe 박막 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 증착된 투명전도 산화막; 상기 투명전도 산화막 상에 증착된 Cds 박막; 상기 Cds 박막 상에 증착된 CdTe 박막; 상기 CdTe 박막 상에 증착된 확산방지층; 및 상기 확산방지층 상에 형성된 후면전극을 포함하고, 상기 확산방지층은 그래핀 박막을 포함하는 CdTe 박막 태양전지가 제공된다.본 발명에 따른 CdTe 박막 태양전지는, CdTe와 후면전극 사이에 형성된 그래핀 박막을 포함하는 확산방지층에 의해 후면전극 물질의 확산을 방지하여 태양전지의 성능 안정성이 향상될 수 있다. 그리고, 추가적인 CdTe 박막 태양전지의 공정 조건 변경 없이 저렴한 가격으로 우수한 성질의 그래핀 박막을 증착 시킬 수 있기 때문에 비용 면에서 장점이 있다. 또한, 그래핀은 우수한 기계적 강도를 가지는 2차원의 탄소구조체이기 때문에, 그래핀 박막은 조도(roughness)가 큰 CdTe 박막 상에서도 끊어지지 않고 원래의 형태를 유지하여, 안정적인 후면전극을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 31/073 (2012.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120039301 (2012.04.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1300790-0000 (2013.08.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울 강남구
2 김동환 대한민국 서울 서초구
3 정영훈 대한민국 서울 성북구
4 천승주 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0300852-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051640-80
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0531988-71
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0955006-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 증착된 투명전도 산화막;상기 투명전도 산화막 상에 증착된 Cds 박막;상기 Cds 박막 상에 증착된 CdTe 박막;상기 CdTe 박막 상에 증착된 확산방지층; 및상기 확산방지층 상에 형성된 후면전극;을 포함하고, 상기 확산방지층은 그래핀 박막을 포함하는 CdTe 박막 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 확산방지층은 1 내지 10 겹의 그래핀 박막을 포함하는 CdTe 박막 태양전지
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그래핀 박막은 1겹의 두께가 0
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그래핀 박막은 화학 기상 성장법(CVD)에 의해 성장시킨 것인 CdTe 박막 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 후면전극은 구리를 포함하여 형성되는 CdTe 박막 태양전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 후면전극은 Cu-Au로 형성되는 CdTe 박막 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 Cds 박막은 화학적 용액성장법(chemical bath deposition, CBD), 상기 CdTe 박막은 근접승화법(Close Spaced sublimation, CSS)을 사용하여 증착된 CdTe 박막 태양전지
8 8
기판 상에 투명전도 산화막을 증착하는 단계;상기 투명전도 산화막 상에 Cds 박막을 증착하는 단계;상기 Cds 박막 상에 CdTe 박막을 증착하는 단계;상기 CdTe 박막 상에 확산방지층을 증착하는 단계; 및상기 확산방지층 상에 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 확산방지층은 그래핀 박막을 포함하는 CdTe 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교 산학협력단 신재생에너지융합원천기술개발(전력기금) 고효율 CdTe 태양전지의 신공정 개발
2 지식경제부 고려대학교 산학협력단 에너지정책연계 융복합 트랙 태양전지 기반기술 고급트랙(고효율 실리콘 태양전지 기술개발을 위한 핵심인력양성 프로그램)