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결정질 실리콘 태양 전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133060
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 결정질 실리콘 태양 전지는 제1 불순물이 도핑되며, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판, 상기 결정질 실리콘 기판 상에 배치되며, 상기 제1 불순물에 대응되는 제2 불순물이 도핑된 결정질 실리콘층, 상기 결정질 실리콘층의 상부에 배치되며, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물, 상기 결정질 실리콘 기판의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2 영역들에 걸쳐 형성된 후면 전계 효과층 및 상기 후면 전계 효과층의 아래에 배치되며, 상기 후면 전계 효과층과 전기적으로 연결된 하부 전극 구조물을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020120026615 (2012.03.15)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1356849-0000 (2014.01.22)
공개번호/일자 10-2013-0104776 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울 서초구
2 탁성주 대한민국 서울 노원구
3 김수민 대한민국 서울 성북구
4 강민구 대한민국 서울 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0210164-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033048-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0444217-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0774840-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0774967-53
7 등록결정서
Decision to grant
2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0909703-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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제1 불순물이 도핑되며, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판;상기 결정질 실리콘 기판 상에 배치되며, 상기 제1 불순물에 반대되는 타입의 제2 불순물이 도핑된 결정질 실리콘층;상기 결정질 실리콘층의 상부에 배치되며, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물;상기 결정질 실리콘 기판의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2 영역들에 걸쳐 형성된 후면 전계 효과층; 및상기 후면 전계 효과층의 아래에 배치되며, 상기 후면 전계 효과층과 전기적으로 연결된 하부 전극 구조물을 포함하고, 상기 하부 전극 구조물은 상기 제1 영역들에 선택적으로 형성된 버스바 전극들 및 상기 제2 영역에 선택적으로 형성된 후면 전극을 포함하고, 상기 버스바 전극들 각각은 상기 후면 전계 효과층과 면접하는 알루미늄/은(Al/Ag)층 및 상기 알루미늄/은(Al/Ag) 층 아래에 형성된 은(Ag) 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양 전지
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제1 불순물이 도핑되며, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판;상기 결정질 실리콘 기판 상에 배치되며, 상기 제1 불순물에 반대되는 타입의 제2 불순물이 도핑된 결정질 실리콘층;상기 결정질 실리콘층의 상부에 배치되며, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물;상기 결정질 실리콘 기판의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2 영역들에 걸쳐 형성된 후면 전계 효과층; 및상기 후면 전계 효과층의 아래에 배치되며, 상기 후면 전계 효과층과 전기적으로 연결된 하부 전극 구조물을 포함하고, 상기 하부 전극 구조물은 상기 제1 영역 및 제2 영역들에 걸쳐서 상기 후면 전계 효과층 아래에 균일하게 배치된 후면 전극 및 상기 제1 영역들에 선택적으로 형성된 버스바 전극들을 포함하고,상기 버스바 전극들 각각은 상기 후면 전극과 면접하는 알루미늄/은(Al/Ag)층 및 상기 알루미늄/은(Al/Ag)층 아래에 형성된 은(Ag)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양 전지
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제1 불순물을 내부로 도핑하여, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판의 적어도 하나의 표면에 상기 제1 불순물에 반대되는 타입의 제2 불순물을 도핑하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면에 결정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 결정질 실리콘층의 상부에, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물을 형성하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판 하부에 예비 하부전극구조물을 형성하는 단계; 및상기 예비 하부전극구조물을 열처리하여, 상기 결정질 실리콘 기판 하부에 하부 전극 구조물 및 상기 하부 전극 구조물과 상기 제1 및 제2 영역들 사이에 후면 전계 효과층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 결정질 실리콘 기판의 하부에 예비 하부전극구조물을 형성하는 단계는,상기 제2 영역에 선택적으로 알루미늄 페이스트를 프린팅하여 알루미늄(Al) 층을 형성하는 단계; 및상기 제1 영역들에 선택적으로 알루미늄/은(Al/Ag) 페이스트를 프린팅하여 알루미늄/은(Al/Ag) 층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 하부 전극 구조물 및 상기 후면 전계 효과층을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄(Al)층을 열처리하여 상기 제2 영역에 하부 전극을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄/은(Al/Ag)층을 열처리하여, 상기 제1 영역들에 버스바 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양 전지의 제조 방법
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제1 불순물을 내부로 도핑하여, 제1 방향으로 각각 이격되어 연장된 적어도 두 개의 제1 영역들 및 상기 제1 영역들 사이에 해당하는 제2 영역으로 구획되는 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판의 적어도 하나의 표면에 상기 제1 불순물에 반대되는 타입의 제2 불순물을 도핑하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면에 결정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 결정질 실리콘층의 상부에, 상기 결정질 실리콘층과 전기적으로 연결된 상부 전극 구조물을 형성하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판 하부에 예비 하부전극구조물을 형성하는 단계; 및상기 예비 하부전극구조물을 열처리하여, 상기 결정질 실리콘 기판 하부에 하부 전극 구조물 및 상기 하부 전극 구조물과 상기 제1 및 제2 영역들 사이에 후면 전계 효과층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 결정질 실리콘 기판의 하부에 예비 하부전극구조물을 형성하는 단계는,상기 제1 영역들 및 제2 영역에 전체적으로 알루미늄(Al) 페이스트를 프린팅하여 알루미늄(Al) 층을 형성하는 단계; 및상기 제1 영역에 대응되는 상기 알루미늄(Al)층 아래에 선택적으로 알루미늄/은(Al/Ag) 혼합 페이스트를 프린팅하여 알루미늄/은(Al/Ag) 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 하부 전극 구조물 및 상기 후면 전계 효과층을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄(Al) 층을 열처리하여 상기 제1 및 2 영역들에 걸쳐 상기 후면 전계 효과층 및 상기 하부 전극을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄/은(Al/Ag)층을 열처리하여, 상기 제1 영역들에 해당하는 상기 하부 전극 아래에 버스바 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양 전지의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 기판의 하부에 예비 하부 전극 구조물을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄/은(Al/Ag) 층 아래에 은(Ag) 페이스트를 프린팅하여 은(Ag) 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양 전지의 제조 방법
11 11
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12 12
제8항 및 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 기판의 양 표면들에 상기 결정질 실리콘층들이 형성될 경우, 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 결정질 실리콘층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교산학협력단 신재생에너지융합원천기술개발(전력기금) 고효율 결정질 실리콘 태양전지