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제 1 도전형 반도체층;상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층;상기 활성층 중 상기 제 1 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성된 제 2 도전형 반도체층;상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 형성된 반사층;상기 반사층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 부착되는 지지 기판;상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 형성된 전극; 및상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 상기 전극의 측부 주변에 배치되며, 언도프드 반도체층에 형광체 패턴이 매립되어 형성된 형광체 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 형광체 패턴은 서로 이격되게 배열되는 복수의 제 1 형광체를 포함하는 제 1 형광체 패턴과, 상기 제 1 형광체 패턴의 하부에 배치되며 서로 이격되게 배열되는 복수의 제 2 형광체를 포함하는 제 2 형광체 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 형광체는 도트 형상으로 배열되며, 상기 제 2 형광체는 도트 형상으로 배열되고, 상기 제 1 형광체와 상기 제 2 형광체는 수평 방향에서 서로 교대로 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 형광체는 스트라이프 형상으로 배열되며, 상기 제 2 형광체는 스트라이프 형상으로 배열되고, 상기 제 1 형광체와 상기 제 2 형광체는 수평 방향에서 서로 교대로 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 형광체와 상기 제 2 형광체는 황색 형광체인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 형광 박막층은 상기 전극보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 n형이며, 상기 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 언도프드 반도체층은 언도프드 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판을 준비하는 기판 준비 단계;언도프드 반도체층에 형광체 패턴이 매립되어 형성된 형광체 박막층을 상기 기판 상에 형성하는 형광체 박막층 형성 단계;상기 형광체 박막층 중 상기 기판과 접하는 면의 반대 면에 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 발광 구조물 형성 단계;상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 반사층을 형성하고, 상기 반사층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 지지 기판을 부착시키고, 상기 기판을 제거하는 반사층 형성 및 지지 기판 부착 단계; 및상기 형광체 박막층의 선택적 식각에 의해 노출되는 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 기판 준비 단계는 상기 기판 상에 언도프드 반도체층을 형성하고 상기 언도프드 반도체층 상에 제 1 형광체를 증착시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 형광체 박막층 형성 단계는 상기 제 1 형광체를 패터닝하여 형성되는 제 1 형광체 패턴을 성장 방법에 의해 상기 언도프드 반도체층에 매립시키고, 상기 언도프드 반도체층 상에 제 2 형광체를 증착하고 패터닝하여 형성되는 제 2 형광체 패턴을 성장 방법에 의해 상기 언도프드 반도체층에 매립시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 형광체의 패터닝은 상기 제 1 형광체 상에 배치되는 제 1 산화막 패턴을 마스크로 사용하여 이루어지며, 상기 언도프드 반도체층의 성장 방법은 에피텍셜 측면 과성장 방법인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 제 2 형광체의 패터닝은 상기 제 2 형광체 상에 배치되는 제 2 산화막 패턴을 마스크로 사용하여 이루어지며, 상기 언도프드 반도체층의 성장 방법은 에피텍셜 측면 과성장 방법인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 형광체 박막층 형성 단계에서,상기 제 1 형광체 패턴은 도트 형상을 가지는 복수의 제 1 형광체가 서로 이격되게 배열되어 이루어지며,상기 제 2 형광체 패턴은 도트 형상을 가지는 복수의 제 2 형광체가 서로 이격되게 배열되어 이루어지며,상기 1 형광체 패턴의 제 1 형광체와 상기 제 2 형광체 패턴의 제 2 형광체는 수평 방향에서 서로 교대로 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 형광체 박막층 형성 단계에서,상기 제 1 형광체 패턴은 스트라이프 형상을 가지는 복수의 제 1 형광체가 서로 이격되게 배열되어 이루어지며,상기 제 2 형광체 패턴은 스트라이프 형상을 가지는 복수의 제 2 형광체가 서로 이격되게 배열되어 이루어지며,상기 1 형광제 패턴의 제 1 형광체와 상기 제 2 형광체 패턴의 제 2 형광체는 수평 방향에서 서로 교대로 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전극 형성 단계에서, 상기 형광체 박막층의 선택적 식각은 마스크 패턴을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전극 형성 단계에서, 상기 전극은 상기 형광체 박막층보다 작은 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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