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2 성분 이상의 서로 다른 종류의 금속 원소들을 포함하는 금속 화합물 박막의 평탄화를 위한 수성계 연마 조성물로서,나노 다이아몬드 입자들; 및상기 나노 다이아몬드 입자들을 분산 안정화하기 위한 Poly(sodium 4-styrenesulfonate)를 포함하는 연마 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 입자들은 10 nm 내지 120 nm의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
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제 2 항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 입자들은 3 nm 내지 5 nm의 평균 입경을 가진 일차 입자가 응집되어 제공된 이차 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 연마 조성물 내에 상기 나노 다이아몬드 입자들은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 연마 조성물은 탈이온수와 과산화수소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
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제 5 항에 있어서, 상기 연마 조성물 내에 상기 탈이온수는 80 내지 99 중량% 만큼 함유되고, 상기 과산화수소는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 화합물 박막은 칼코게나이드 재료 또는 칼코게나이드 글래스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
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2 성분 이상의 서로 다른 종류의 금속 원소들을 포함하는 금속 화합물 박막의 평탄화를 위한 연마 조성물의 제조 방법으로서,나노 다이아몬드 분체 및 PSS를 포함하는 수성 분쇄용 혼합물을 제공하는 단계; 및상기 수성 분쇄용 혼합물을 마멸 분쇄하는 단계를 포함하는 연마 조성물의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 분체는, 3 nm 내지 5 nm의 평균 입경을 갖는 입자들의 응집체를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 마멸 분쇄하는 하는 단계는 상기 나노 다이아몬드 분체가 10 nm 내지 120 nm의 평균 입경을 갖는 나노 다이아몬드 입자들로 분쇄될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 연마 조성물의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 수성 분쇄용 혼합물 내에 상기 Poly(sodium 4-styrenesulfonate)는 0
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2 성분 이상의 서로 다른 종류의 금속 원소들을 포함하는 금속 화합물 박막이 형성된 표면을 갖는 기판의 화학적 기계적 연마 방법으로서, 상기 기판의 상기 표면을 폴리싱 패드와 접촉하도록 제공하는 단계;나노 다이아몬드 입자들 및 상기 나노 다이아몬드 입자들을 분산 안정화하기 위한 Poly(sodium 4-styrenesulfonate)를 포함하는 연마 조성물을 상기 연마 패드와 상기 기판의 상기 표면 사이에 제공하는 단계; 및상기 금속 화합물 박막을 상기 연마 조성물로 연마하는 단계를 포함하는 화학적 기계적 연마 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 입자들은 10 nm 내지 120 nm의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 다이아몬드 입자들은 3 nm 내지 5 nm의 평균 입경을 가진 일차 입자가 응집되어 제공된 이차 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 연마 조성물 내에 상기 나노 다이아몬드 입자들은 0
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제 13 항에 있어서, 상기 금속 화합물 박막은 칼코게나이드 재료 또는 칼코게나이드 글래스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법
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