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활성층;상기 활성층 아래에 배치된 제1 도전형 반도체층;상기 활성층 위에 배치된 제2 도전형 반도체층;상기 제2 도전형 반도체층 위에 배치된 투명 도전층; 및상기 제2 도전형 반도체층과 상기 투명 도전층 사이에 배치된 전류 스프레딩층을 포함하고,상기 전류 스프레딩층은 서로 이격된 다수의 라인을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 상기 라인 사이에 형성된 리세스 영역을 포함하는 발광 소자
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제2항에 있어서, 상기 투명 도전층은 상기 리세스 영역을 통해 상기 제2 도전형 반도체층에 접촉되는 제1 영역과 상기 라인의 상면에 접촉되는 제2 영역을 포함하는 발광 소자
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제3항에 있어서, 상기 제1 영역의 두께는 상기 제2 영역의 두께의 110% 내지 200%인 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 상기 다수의 라인이 일 방향을 따라 길게 배치된 스트라이프 형상을 갖는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 상기 다수의 라인이 서로 교차하여 배치된 메쉬 형상을 갖는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 라인은 1㎛ 내지 3㎛의 폭을 가지고, 5nm 내지 1㎛의 두께를 갖는 발광 소자
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8
제1항에 있어서, 상기 라인 간의 거리는 7㎛ 내지 100㎛인 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 라인의 폭과 상기 라인 간의 거리의 비는 1:3 내지 1:40인 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 전류 스프레딩 물질, 오믹 콘택 물질 및 반사 금속 물질 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층은 Ag, Au, Pt, Ni, Pd, Cu, Ir, Mo, Re, Rh, Ru, Se 및 Te로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 적층을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 전류 스프레딩층과 상기 제2 도전형 반도체층의 계면에 배치되고 상기 전류 스프레딩층의 물질과 상기 제2 도전형 반도체층이 물질의 결합인 결합층을 더 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층의 상면의 일부 영역에 배치된 제1 전극; 및상기 투명 도전층 상에 배치된 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자
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제13항에 있어서,상기 투명 도전층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 반사층을 더 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 전극;상기 투명 도전층 상에 배치된 전극층; 및상기 전류 스프레딩층과 동일 층에 배치된 보호층을 더 포함하는 발광 소자
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제15항에 있어서,상기 투명 도전층은 오믹 콘택층의 기능을 가지고, 상기 전극층은 반사층의 기능을 갖는 발광 소자
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