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나노솔더링 발열체

  • 기술번호 : KST2015133108
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 작은 영역에 열을 제공하기 위한 기술 및 작은 영역에 열을 제공할 수 있는 장치가 제공된다. 예시적인 실시예에서, 제한적이지 않은 예시로서, 발열체(heating element)는 그로 인하여 일련의 인접하게 연결된 상부 표면을 정의하도록 그 일부로부터 연장된 적어도 하나의 벽을 가지는 기판, 및 전도성 재료를 포함하고 실질적으로 상부 표면 위에 배열된 전도층을 포함하고, 적어도 하나의 벽의 최외각부는 그 위에 에칭된 부분을 가진다. 상술한 요약은 예시적인 것일 뿐이고 어떠한 방식으로든 제한을 의도한 것이 아니다. 전술한 예시적인 태양, 실시예, 및 특징에 더하여 추가적인 태양, 실시예 및 특징이 도면 및 이하의 상세한 설명을 참조함으로써 분명하게 될 것이다.
Int. CL H05B 3/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020127012209 (2012.05.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1343014-0000 (2013.12.12)
공개번호/일자 10-2012-0068973 (2012.06.27) 문서열기
공고번호/일자 (20131218) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2010/006898 (2010.10.08)
국제공개번호/일자 WO2011046323 (2011.04.21)
우선권정보 미국  |   12/579,128   |   2009.10.14
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.11)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광렬 대한민국 경기 남양주시 퇴

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act
2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0377803-94
2 수리안내서
Notice of Acceptance
2012.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0065701-44
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0508222-98
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0864213-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0864212-45
6 등록결정서
Decision to grant
2013.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0825637-23
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일련의 인접하여 연결된 상부 표면(top surface)을 정의하도록 그 일부로부터 연장된 적어도 하나의 벽을 포함하는 기판; 및실질적으로 상기 상부 표면 위에 배열된 전도층(conduction layer)을 포함하며,상기 전도층은 상기 적어도 하나의 벽의 최외각부(outermost portion)상에 에칭된 부분(etched portion)을 가지는, 발열체(heating element)
2 2
제1항에 있어서,상기 전도층은 적어도 하나의 그라핀 시트(graphene sheet)를 포함하는, 발열체
3 3
제1항에 있어서,상기 전도층은 적어도 하나의 CNT 필름을 포함하는, 발열체
4 4
제1항에 있어서,실질적으로 상기 전도층 위에 배열되는 보호층(protection layer)을 더 포함하는 발열체
5 5
제4항에 있어서,상기 보호층은 금속 재료, 금속 화합물, 또는 절연 재료 중 적어도 하나를 포함하는, 발열체
6 6
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 벽은 상기 기판에 실질적으로 수직으로 배치되는, 발열체
7 7
제1항에 있어서,실질적으로 상기 상부 표면 및 상기 전도층 사이에 배열되는 절연층을 더 포함하는 발열체
8 8
제7항에 있어서,페닐기로 끝나는 실란(phenyl-terminated silane)이 상기 절연층의 적어도 일부에 더 가해지는, 발열체
9 9
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 벽은 수백 나노미터의 범위로 측정되는 높이 및 폭을 가지는, 발열체
10 10
기판의 일부로부터 연장되고 일련의 인접하게 연결된 상부 표면을 정의하도록 상기 기판 위에 적어도 하나의 벽을 형성하는 단계;전도성 재료로 상기 상부 표면을 코팅하는 단계; 및에칭에 의해 화학적으로 영향 받는 상기 전도성 재료의 에칭된 부분으로부터 만들어지는 에칭된 발열체부를 형성하도록 상기 전도성 재료의 적어도 일부를 에칭하는 단계를 포함하고,상기 에칭된 발열체부는 상기 에칭된 발열체부 각각의 저항보다 낮은 저항을 가지는 적어도 하나의 에칭되지 않은 부분에 분산되는, 발열체를 제조하는 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는 상기 적어도 하나의 벽의 최외각부 위에서 수행되는, 발열체를 제조하는 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 코팅하는 단계는 상기 상부 표면 위에 적어도 하나의 CNT 필름을 배열하는 단계를 포함하는, 발열체를 제조하는 방법
13 13
제10항에 있어서,상기 코팅하는 단계는 상기 상부 표면 위에 적어도 하나의 그라핀 시트를 배열하는 단계를 포함하는, 발열체를 제조하는 방법
14 14
제10항에 있어서,거기에 가해진 코팅을 가지는 상기 상부 표면에 보호층을 가하는 단계를 더 포함하는 발열체를 제조하는 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 보호층은, 스퍼터링(sputtering) 및 증착(vapor deposition) 방법 중 하나에 의하여, 거기에 가해진 코팅을 가지는 상기 상부 표면에 가해지는, 발열체를 제조하는 방법
16 16
제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 벽은 에칭 기술을 이용하여 제조되는, 발열체를 제조하는 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 형성하는 단계는,상기 기판 위에 에치 마스크 층(etch mask layer)을 배열하는 단계;상기 에치 마스크 층 위에 포토레지스트 층(photoresist layer)을 배열하는 단계;상기 포토레지스트 층 위에 리소그래피 패턴(lithography pattern)을 형성하는 단계;상기 리소그래피 패턴을 둘러싸는 상기 포토레지스트 층의 일부를 에칭하는 단계;상기 에치 마스크 층의 적어도 일부를 에칭하는 단계;상기 포토레지스트 층으로부터 상기 리소그래피 패턴을 제거하는 단계;상기 기판의 적어도 일부를 에칭하는 단계; 및상기 기판으로부터 상기 에치 마스크 층을 제거하는 단계를 포함하는, 발열체를 제조하는 방법
18 18
제10항에 있어서,상기 형성하는 단계는 액화 기술(liquefaction technique)을 포함하는, 발열체를 제조하는 방법
19 19
제10항에 있어서,상기 에칭하는 단계는 플라즈마 에칭(plasma etching)에 의하여 수행되는, 발열체를 제조하는 방법
20 20
제16항에 있어서,상기 형성하는 단계는,상기 기판 위에 나노구조물(nanostructure)을 위치시키는 단계;상기 나노구조물 위에 플레이트(plate)를 배치하는 단계;상기 나노구조물을 에칭 및 액화하는 단계; 및냉각 및 제거 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는, 발열체를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05337309 JP 일본 FAMILY
2 JP25508889 JP 일본 FAMILY
3 US08344295 US 미국 FAMILY
4 US20110084061 US 미국 FAMILY
5 WO2011046323 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2013508889 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5337309 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2011084061 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8344295 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2011046323 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.