맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

투명 전극을 포함하는 반도체 소자, 및 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133115
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 전극을 포함하는 반도체 소자, 및 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 투명 전극을 포함하는 반도체 소자의 투명 전극은 하부 질화물층, 하부 질화물층 상에 형성된 금속층, 및 금속층 상에 형성된 상부 질화물층을 포함한다. 이와 같이, 금속층 상하에 질화물층을 형성함으로써, 희토류나 비싼 제조 공정이 없이도 우수한 성능의 투명 전극을 제조할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/40 (2006.01) G02F 1/1343 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020120071752 (2012.07.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1328416-0000 (2013.11.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.02)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울 서초구
2 송준혁 대한민국 서울 동대문구
3 전준우 대한민국 서울 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0527355-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070800-89
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0756798-68
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전극을 포함하는 반도체 소자로서,상기 투명 전극은,하부 질화물층;상기 하부 질화물층 상에 형성된 금속층; 및 상기 금속층 상에 형성된 상부 질화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 질화물층들은 질소를 포함하는 가스 분위기에서 증착되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 분위기 가스는 아르곤 가스를 더 포함하며, 상기 아르곤 가스의 분압 크기가 상기 질소 가스의 분압 크기 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
4 4
제 3항에 있어서,상기 질화물층들의 두께는 투명 전극을 투과하는 광의 파장에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 질화물층들의 두께는 5nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
6 6
제 4항에 있어서,상기 금속층의 두께는 6nm 이상 18nm 이하인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
7 7
투명 전극을 포함하는 반도체 소자를 제조하는 방법으로서,상기 투명 전극의 제조는,하부 질화물층을 형성하는 단계;상기 하부 질화물층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 상부 질화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 질화물층들은 질소를 포함하는 가스 분위기에서 증착되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 분위기 가스는 아르곤 가스를 더 포함하며, 상기 아르곤 가스의 분압 크기가 상기 질소 가스의 분압의 크기 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 질화물층들의 두께는 투명 전극을 투과하는 광의 파장에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 질화물층들의 두께는 5nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
12 12
제 10항에 있어서,상기 금속층의 두께는 6nm 이상 18nm 이하인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.