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반전구조를 갖는 코발트(Co) 및 플래티늄(Pt) 기반의 다층박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133165
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직자기이방성을 가지는 새로운 구조의 코발트(Co) 및 플래티늄(Pt) 기반의 다층박막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기판 상에 교대로 적층된 코발트 박막층 및 플래티늄 박막층을 포함하는 수직자기이방성 다층박막에 있어서, 상기 코발트 박막층의 두께가 플래티늄 박막층의 두께보다 더 두꺼운 반전구조를 갖는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반전구조를 갖는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막은 자성 박막층의 두께가 비자성 박막층의 두께보다 더 두꺼운 새로운 구조로서, 두께에 따라 수직자기이방성 에너지의 크기를 조절함으로써, 자기터널 접합구조에서 자유층과 고정층으로 적용이 용이하며, 열적 안정성이 우수하여 후속 열처리 공정 후에도 높은 수직자기이방성 에너지 밀도를 유지하며, 평면자기이방성 형성을 도모하여 자화 반전에 필요한 임계전류 밀도를 감소시키는 효과 또한 제공하므로, 고성능, 고밀도의 자기 랜덤 액세스 메모리에 유용하게 활용될 수 있다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120054188 (2012.05.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1287370-0000 (2013.07.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.22)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 경기도 남양주시
2 이태영 대한민국 서울특별시 성북구
3 이성래 대한민국 서울특별시 강남구
4 손동수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0408670-24
2 등록결정서
Decision to grant
2013.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0475229-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
기판 상에 교대로 적층된 코발트 박막층 및 플래티늄 박막층을 포함하는 수직자기이방성 다층박막에 있어서, 상기 코발트 박막층의 두께가 플래티늄 박막층의 두께보다 더 두꺼운 반전구조를 갖는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막
2 2
제1항에 있어서, 상기 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막은 플래티늄 박막층 대 코발트 박막층의 두께 비율이 플래티늄 박막층의 두께가 1 일 때 코발트 박막층의 두께는 1 보다 크고 3 보다 작은 범위에 있는 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막
3 3
제1항에 있어서, 상기 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막은 단일 플래티늄 박막층의 두께가 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막은 코발트 박막층과 플래티늄 박막층이 서로 번갈아가며 적층되는 것으로 각각 1 내지 10회 증착되는 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 사파이어 기판 및 산화마그네슘 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 교대로 적층된 코발트 박막층 및 플래티늄 박막층과의 사이에는 버퍼층 및 시드층이 적층되고, 상기 교대로 적층된 코발트 박막층 및 플래티늄 박막층 상부에는 보호층이 적층되는 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막
7 7
제6항에 있어서, 상기 버퍼층, 시드층 또는 보호층은 Au, Cu, Pd, Pt, Ta, Ru 또는 그 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막
8 8
(a) 기판 상에 코발트 박막층의 두께가 플래티늄 박막층의 두께보다 더 두꺼운 반전구조를 갖는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막을 적층하는 단계; 및(b) 상기 다층박막을 열처리하는 단계를 포함하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리 온도는 150 ℃ 내지 500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 (a) 단계를 수행하기 이전에, 상기 기판 상에 버퍼층 및 시드층을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막의 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 (a) 단계 이후, 상기 (b) 단계 이전에 보호층을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 코발트 및 플래티늄 기반의 다층박막의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104471419 CN 중국 FAMILY
2 US09705075 US 미국 FAMILY
3 US10566522 US 미국 FAMILY
4 US20150115379 US 미국 FAMILY
5 US20160293836 US 미국 FAMILY
6 US20170133583 US 미국 FAMILY
7 WO2013176332 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104471419 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2015115379 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9705075 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2013176332 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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